[发明专利]GaN基材料外延层生长制备方法

权利要求书

1.一种GaN基材料外延层生长制备方法，其特征在于：使用金属有机物化学气相沉方法在衬底上间歇生长外延层，获取器件所需的缓冲层结构；

在整个薄膜生长过程中，向金属有机物化学气相沉积薄膜生长室内等流量持续通入III族生长源及载流气体，并间歇通入V族生长源；

在间歇通入V族生长源的过程中，每相邻两次通入V族生长源的间断时间不同，并且间断时间等梯度逐次减少。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在每个间歇之间，通入V族生长源时间相同，且在此时间内生长的膜厚范围为70～200nm。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：上述间断时间范围为10～60秒，且间断时间梯度范围为5～20秒/次。

4.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法，其特征在于：在整个薄膜生长过程中，间歇通入的V族生长源的次数范围为3～10次。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：采用三甲基镓和三甲基铟及三甲基铝作为III族生长源，氨气作为V族生长源，同时使用纯氢气作为载流气体。