[发明专利]一种由可见光照射实现光致形变的液晶高分子材料及复合材料无效
申请号: | 200910045903.0 | 申请日: | 2009-01-22 |
公开(公告)号: | CN101481440A | 公开(公告)日: | 2009-07-15 |
发明(设计)人: | 俞燕蕾;尹若元;徐婉娴;程伏涛 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | C08F220/68 | 分类号: | C08F220/68;C09K19/38;B32B7/12 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) | 代理人: | 翟 羽;何兴元 |
地址: | 200433*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可见光 照射 实现 形变 液晶 高分子材料 复合材料 | ||
1、一种由可见光照射实现光致形变的液晶高分子材料,其特征是,首先有机合成出单体X和交联剂Y,然后再与一定量的光引发剂或者热引发剂混合,放入反应器中,选择合适的光强或是反应温度,通过光聚合反应或者热聚合反应生成液晶高分子材料;
其中,所述单体X的通式为:
D1—A1—R
所述交联剂Y的通式为:
D2—A2—D3
其中R是H,或者是C1-C20的取代或未取代的烃基或者烷氧基,或者是具有极性的端基;A1、A2选自如下结构中的一种基团或是两种以对应的结构键链接而成的基团或是三种以对应的结构键链接起来而成的基团,
A1、A2的结构相同或者不同,在上述基团中,B、B1、B2是取代或未取代的脂肪族环、芳环、稠环、杂环,或者是它们相应的衍生物,B、B1、B2的结构相同或者不同,但A1、A2其中之一至少含有偶氮苯的共轭结构,不限于以下结构,
其中,D1~D3是含有能进行聚合的碳碳双键结构的基团,它们独立选自如下结构中的一种,D1~D3结构相同或者不同,
其中R1是H或是CH3;R2是H,或者在单体通式中不出现,或是C1-C20的取代或未取代的烃基或烷氧基、烷硫基、烷氨基、二烷氨基、烷酰基、烷酰氧基、烷酰胺基、烷磺酰基,或者是它们相应的衍生物。
2、如权利要求1所述的液晶高分子材料,其特征是,R优选的是C1~C12的取代或未取代的烃基或烷氧基,或者是具有极性的端基,所述具有极性的端基优选自F、Cl、Br、I或酯基。
3、如权利要求1所述的液晶高分子材料,其特征是,R2优选的是C1~C12的取代或未取代的烃基,所述的烃基可以是饱和的或不饱和的,或选自烷氧基。
4、如权利要求1所述的液晶高分子材料,其特征是,单体X和交联剂Y的摩尔比值为99∶1—1∶99,优选的比值为95∶5—50∶50。
5、如权利要求1所述的液晶高分子材料,其特征是,所述的光引发剂选自有机羰基类化合物和有机金属类化合物,优选自Irgacure 784、Irgacure 819,它们的结构式如下:
6、如权利要求1所述的液晶高分子材料,其特征是,所述的热引发剂选自偶氮类化合物,优选自偶氮二异丁腈、偶氮二异庚腈。
7、如权利要求1所述的液晶高分子材料,其特征是,所选用的光引发剂或热引发剂的用量为单体与交联剂摩尔数之和的0.1%—10%,优选的是1%—5%。
8、如权利要求1所述的液晶高分子材料,其特征是,进行光聚合时所选择的波长范围是300nm—800nm,优选的是400nm-600nm;光的强度范围是0.1mW/cm2—20mW/cm2,优选的是1mW/cm2—10mW/cm2;进行光聚合的聚合时间范围是0.5h—20h,优选的是2h—10h;聚合温度范围是50℃—200℃,优选的是80℃—150℃。
9、如权利要求1所述的液晶高分子材料,其特征是,进行热聚合的聚合时间范围是1h—100h,优选的是3h—50h;聚合温度范围是20℃—200℃,优选的是40℃—150℃。
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