[发明专利]大面积染料敏化太阳能电池的导电基底及其太阳能电池无效
| 申请号： | 200910050346.1 | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101567267A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 刘志勇;蔡传兵;马辉;周文谦;鲁玉明 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01G9/004 | 分类号： | H01G9/004;H01G9/04;H01M14/00;H01L51/44;H01G9/20;H01L51/42 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 大面积 染料 太阳能电池 导电 基底 及其 | ||
1.一种大面积染料敏化太阳能电池的导电基底，其特征是：所述导电基底包括透明衬底、紧邻透明衬底并间隔设置在透明衬底上的栅电极及涂覆在透明衬底上且包覆栅电极的导电层。
2.根据权利要求1所述的大面积染料敏化太阳能电池的导电基底，其特征是：所述的栅电极的宽度是2～100微米。
3.根据权利要求1所述的大面积染料敏化太阳能电池的导电基底，其特征是：所述的栅电极中两个相邻电极的间距是500～8000微米。
4.根据权利要求1所述的大面积染料敏化太阳能电池的导电基底，其特征是：所述的透明衬底是透明的玻璃基底或者透明的聚合物基底；所述的栅电极是导电金属电极。
5.根据权利要求1所述的大面积染料敏化太阳能电池的导电基底，其特征是：所述的导电层是ATO导电层，或者ITO导电层，或者FTO导电层。
6.一种具有如权利要求1所述导电基底的大面积染料敏化太阳能电池，包括成面向设置的对电极和导电基底、位于对电极和导电基底之间的电解质和染料敏化剂及形成在导电基底上的纳米晶膜，其特征是：导电基底包括透明衬底、紧邻透明衬底并间隔设置在透明衬底上的栅电极及涂覆在透明衬底上且包覆栅电极的导电层。
7.根据权利要求6所述的大面积染料敏化太阳能电池，其特征是：所述的栅电极的宽度是2～100微米。
8.根据权利要求6所述的大面积染料敏化太阳能电池，其特征是：所述的栅电极中两个相邻电极的间距是500～8000微米。
9.根据权利要求6所述的大面积染料敏化太阳能电池，其特征是：所述的透明衬底是透明的玻璃基底或者透明的聚合物基底；所述的栅电极是导电金属电极。
10.根据权利要求6所述的大面积染料敏化太阳能电池，其特征是：所述的导电层是ATO导电层，或者ITO导电层，或者FTO导电层。
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