[发明专利]一种带影子非挥发存储器的CAM/TCAM

权利要求书

1.一种内容寻址存储器，其特征在于，包括地址发生器、基于DRAM或SRAM的内容可寻址存储器阵列、影子非挥发存储器阵列，所述地址发生器产生的地址信号输入至内容可寻址存储器阵列或影子非挥发存储器阵列，影子非挥发存储器阵列根据地址关系对应存储内容可寻址存储器阵列中的数据。

2.根据权利要求1所述的内容寻址存储器，其特征在于，所述地址发生器、基于DRAM或SRAM的内容可寻址存储器阵列、影子非挥发存储器阵列集成于同一芯片上。

3.根据权利要求1所述的内容寻址存储器，其特征在于，所述基于SRAM的内容可寻址存储器阵列的内容可寻址存储器单元包括六管SRAM存储单元和置于匹配线和地之间的两个比较单元。

4.根据权利要求3所述的内容寻址存储器，其特征在于，所述SRAM存储单元包括四个MOS管等效组成的第一反相器和第二反相器和两个第三MOS管，反相器的两端各通过一个第三MOS管连接于位线，通过字线控制第三MOS管的导通或者关断；所述比较单元包括串联的第一MOS管和第二MOS管，所述反相器的两端的电位控制第一MOS管的导通或者关断，源线的电位控制第二MOS管的导通或者关断。

5.根据权利要求4所述的内容寻址存储器，其特征在于，所述影子非挥发存储器阵列的存储器单元是包括相变存储电阻和MOS选通管的相变存储器，所述反相器的一端通过位线BL连接于一个相变存储器单元、另一端通过位线连接于另一个相变存储器单元，所述相变存储器单元用于对应存储反相器两端的电位。

6.根据权利要求5所述的内容寻址存储器，其特征在于，所述相变存储电阻为高阻态时，代表相变存储器单元存储数据“1”，与相变存储器单元连接的位线置高电位；所述相变存储电阻为低阻态时，代表相变存储器单元存储数据“0”，与相变存储器单元连接的位线置低电位。

7.根据权利要求3所述的内容寻址存储器，其特征在于，所述基于SRAM的内容可寻址存储器阵列和所述影子非挥发存储器阵列通过共同的行译码器和列译码器的输入信号实现写操作。

8.根据权利要求1所述的内容寻址存储器，其特征在于，所述影子非挥发存储器阵列的存储器单元是EEPROM、FLASH、相变存储器、磁阻随机存储器、铁电存储器、电阻随机存储器之一。

9.一种三态内容寻址存储器，其特征在于，包括地址发生器、基于DRAM或SRAM的三态内容寻址存储器阵列、影子非挥发存储器阵列，所述地址发生器产生的地址信号输入至三态内容寻址存储器阵列或影子非挥发存储器阵列，影子非挥发存储器阵列根据地址关系对应存储内容可寻址存储器阵列中的数据。

10.根据权利要求9所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，所述地址发生器、基于DRAM或SRAM的三态内容寻址存储器阵列、影子非挥发存储器阵列集成于同一芯片上。

11.根据权利要求9所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，所基于DRAM的内容可寻址存储器阵列的内容可寻址存储器单元包括两个DRAM存储单元和置于匹配线和地之间的两个比较单元。

12.根据权利要求11所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，所述DRAM存储单元包括一个第四MOS选通管和一个电容，通过字线控制第四MOS管的导通或者关断；所述比较单元包括串联的第一MOS管和第二MOS管，所述电容的非接地端的电位控制第一MOS管的导通或者关断，源线的电位控制第二MOS管的导通或者关断。

13.根据权利要求12所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，所述影子非挥发存储器阵列的存储器单元是包括相变存储电阻和MOS选通管的相变存储器，所述DRAM单元的电容的非接地端通过位线连接于相变存储器单元，所述相变存储器单元用于对应存储电容的非接地端的电位。

14.根据权利要求13所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，所述相变存储电阻为高阻态时，代表相变存储器单元存储数据“1”，与相变存储器单元连接的位线置高电位；所述相变存储电阻为低阻态时，代表相变存储器单元存储数据“0”，与相变存储器单元连接的位线置低电位。