[发明专利]一种钨栓塞的制备方法无效
| 申请号： | 200910052969.2 | 申请日： | 2009-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101635273A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 孙阳;吴明龙 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王 洁 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 栓塞 制备 方法 | ||
1.一种钨栓塞的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)提供在层间介质层中形成有孔洞结构的半导体衬底，沉积扩散阻挡层；
(2)在所述扩散阻挡层上沉积钨金属以填充孔洞；
(3)通过对包括第一空洞的钨金属进行回刻蚀，打开第一空洞；
(4)沉积钨金属填充所述孔洞及第一空洞；
(5)去除层间介质层之上的多余钨金属。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(4)和步骤(5)之间还包括以下步骤：
(3b)通过对包括步骤(4)中形成的第二空洞的钨金属进行回刻蚀，打开第二空洞；
(4b)沉积钨金属填充所述孔洞及第二空洞。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(3)中，钨金属回刻蚀至所述空洞平行于半导体衬底表面的截面面积为最大时，终止刻蚀。
4.根据权利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，所述回刻蚀是通过等离子刻蚀方法进行的。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(5)中，通过化学机械研磨方法去除层间介质层之上的多余钨金属。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述扩散阻挡层是Ti和TiN的复合层结构。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积钨的方法是化学气相淀积或者溅射。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述孔洞的深宽比值的范围为2～5。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，钨金属是指钨或者钨的合金。
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