[发明专利]一种磁记录交换耦合复合膜的制备方法无效
申请号: | 200910075432.8 | 申请日: | 2009-09-15 |
公开(公告)号: | CN101661757A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 许小红;王芳;梁艳;张静;李小丽;江凤仙 | 申请(专利权)人: | 山西师范大学 |
主分类号: | G11B5/84 | 分类号: | G11B5/84;G11B5/667;G11B5/851 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 | 代理人: | 江淑兰 |
地址: | 04100*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 记录 交换 耦合 复合 制备 方法 | ||
1、一种磁记录交换耦合复合膜的制备方法,其特征在于:使用的化学物质材料为:银靶、铁靶、钌靶、铁铂合金靶、无水乙醇、去离子水、电子清洗剂、氩气、平面玻璃,其组合用量如下:以克、毫升、厘米3、毫米为计量单位
银靶:Ag Φ60×5mm 1块
铁靶:Fe Φ50.8×1.5mm 1块
钌靶:Ru Φ60×3mm 1块
铁铂合金靶:FePt Φ50.8×1.5mm 1块
无水乙醇:C2H6O 2000ml±100ml
去离子水:H2O 10000ml±100ml
电子清洗剂:ZL-1 100ml±10ml
电子清洗剂:ZL-2 100ml±10ml
氩气:Ar 100000cm3±100cm3
平面玻璃: 50×25×1mm
交换耦合复合膜,为六层结构,由基层、底层、硬磁层、中间层、软磁层、保护层组成;基层为平面玻璃层,在基层上部为底层,即银层,在底层上部为硬磁层,即铁铂合金层,在硬磁层上部为中间层,即钌层,在中间层上部为软磁层,即铁层,在软磁层上部为保护层,即银层。
交换耦合复合膜制备方法如下:
(1)精选化学物质材料
对制备所需的化学物质材料要进行精选,并进行形状、尺寸、精度、质量纯度控制:
银靶:固态固体 99.9%
铁靶:固态固体 99.9%
钌靶:固态固体 99.9%
铁铂合金靶:固态固体 99.9%
无水乙醇:液态液体 99.5%
去离子水:液态液体 99.5%
电子清洗剂:2L-1 液态液体 99.5%
电子清洗剂:2L-2 液态液体 99.5%
氩气:气态气体 99.99%
平面玻璃:平面度100∶0.1
(2)超声清洗基层-平面玻璃基片
①用去离子水400ml浸泡,超声波清洗10min;
②用电子清洗剂超声清洗
配制清洗液,将电子清洗剂ZL-1、ZL-2、去离子水按6∶3∶500的比例配制清洗液;
将平面玻璃基片、清洗液置于烧杯中,将烧杯置于可加热的超声清洗器中;
加热温度为75℃,超声清洗时间40min;
然后,停止加热,自然冷却至20℃±1℃;
③去离子水超声清洗
将平面玻璃基片置于超声波清洗器中,加入去离子水400ml,超声清洗15min,超声清洗重复进行三次;
④无水乙醇超声清洗
将平面玻璃基片置于超声波清洗器中,加入无水乙醇400ml,超声清洗15min,超声清洗重复进行三次;
(3)真空干燥
将超声清洗后的平面玻璃基片置于真空干燥箱中进行干燥,干燥温度55℃±2℃,真空度10Pa,干燥时间10min;
(4)清洗磁控溅射炉
①打开磁控溅射炉,用吸尘器抽洗炉腔内污物及有害物质,使其清洁;
②用去离子水擦洗磁控溅射炉腔,使其洁净;
③无水乙醇擦洗磁控溅射炉炉口、炉腔、炉盖、密封盖,使其洁净;
(5)磁控溅射、制备交换耦合复合膜
①放置溅射靶
打开磁控溅射炉盖,在炉腔底部的水冷磁控工作台上部的靶位上,置放银靶、铁铂靶、钌靶、铁靶;
②置放平面玻璃基片
在密封盖下部的水冷转盘上置放平面玻璃基片,并放平固牢;
③关闭密封盖,使其密封;
④开启水冷工作台内的进水阀、出水阀,进行水循环冷却;
⑤开启炉盖上的水冷转盘的进水阀、出水阀,进行水循环冷却;
⑥开启真空泵,抽取炉腔内空气,使炉腔内真空度为2×10-4Pa;
⑦开启氩气瓶,输入氩气,输入速度40cm3/min,驱除炉腔内有害物质;
炉腔内真空度压强值持续保持在1.0Pa时,开启各靶电源,使氩离子对靶材进行轰击,开始预溅射;
⑧平面磁控溅射工作台上的布置为:银靶、铁铂靶、钌靶、铁靶,铁铂靶、钌靶、铁靶为直流电源,银靶为交流电源,即射频靶;
⑨开启水冷转盘,使其做顺时针匀速转动,转动速度5r/min;
⑩开启测厚探头,对准平面玻璃基片,按镀层顺序逐层测量镀层厚度;
镀层开始:
镀底层,即银层,开启交流射频靶,交流电压10V、功率10W,溅射速率0.141nm/s,底层厚度为30nm;
镀硬磁层,即铁铂合金层,开启直流铁铂合金靶,直流电压334V、功率20W、溅射速率为0.168nm/s,硬磁层厚度为20nm;
镀中间层,即钌层,开启直流钌靶,直流电压340V、功率10W、溅射速率为0.078nm/s,中间层厚度为1nm;
镀软磁层,即铁层,开启直流铁靶,直流电压282V、功率20W、溅射速率为0.147nm/s,软磁层厚度为3nm;
镀保护层,即银层,开启直流银靶,直流电压296V、功率10W、溅射速率为0.141nm/s,保护层厚度为1nm;
炉腔内温度持续恒定在20℃±1℃;
观察窗观察炉腔内溅射状况;
镀层完成后,关闭各水循环冷却进水阀、出水阀,关闭各溅射靶电源,关闭氩气瓶、关闭真空泵,关闭水冷转盘电机;
(6)开炉取膜
打开密封盖,取出平面玻璃及镀膜,即:交换耦合复合膜,膜层厚度为55nm;
(7)真空退火
将制备的复合膜置于钼产物舟中,然后置于真空退火炉中,密闭退火炉,抽取炉内真空,真空度为2×10-4Pa,然后开始升温,升温速度20℃/min,温度升至550℃±1℃,在此温度恒温保温60min±2min,然后关闭加热器,在真空状态下,随炉冷却至20℃±1℃;
(8)退火后取出复合膜
关闭退火炉真空泵,打开炉盖,取出钼舟及复合膜,即:银灰色交换耦合复合膜产物;
(9)检测、化验、分析、表征
对制备的交换耦合复合膜的形貌、结构、色泽、成分和磁学性能进行检测、化验、分析、表征;
用X射线衍射仪进行结构分析;
用振动样品磁强仪进行磁学性能分析;
用表面形貌仪进行厚度分析;
结论:交换耦合复合膜,呈银灰色,为纳米级六层结构,即:基层、平面玻璃层,底层、银层,硬磁层、铁铂合金层,中间层、钌层,软磁层、铁层,保护层、银层;
(10)储存
对制备的交换耦合复合膜产物置于无色透明的玻璃容器中,储存于阴凉、干燥、洁净环境,要防水、防潮、防晒、防酸碱盐侵蚀,储存温度20℃±1℃,相对湿度≤10%。
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