[发明专利]一种磁记录交换耦合复合膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910075432.8 申请日: 2009-09-15
公开(公告)号: CN101661757A 公开(公告)日: 2010-03-03
发明(设计)人: 许小红;王芳;梁艳;张静;李小丽;江凤仙 申请(专利权)人: 山西师范大学
主分类号: G11B5/84 分类号: G11B5/84;G11B5/667;G11B5/851
代理公司: 太原市科瑞达专利代理有限公司 代理人: 江淑兰
地址: 04100*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 一种 记录 交换 耦合 复合 制备 方法
【权利要求书】:

1、一种磁记录交换耦合复合膜的制备方法,其特征在于:使用的化学物质材料为:银靶、铁靶、钌靶、铁铂合金靶、无水乙醇、去离子水、电子清洗剂、氩气、平面玻璃,其组合用量如下:以克、毫升、厘米3、毫米为计量单位

银靶:Ag            Φ60×5mm     1块

铁靶:Fe            Φ50.8×1.5mm 1块

钌靶:Ru            Φ60×3mm     1块

铁铂合金靶:FePt    Φ50.8×1.5mm 1块

无水乙醇:C2H6O     2000ml±100ml

去离子水:H2O       10000ml±100ml

电子清洗剂:ZL-1    100ml±10ml

电子清洗剂:ZL-2    100ml±10ml

氩气:Ar            100000cm3±100cm3

平面玻璃:          50×25×1mm

交换耦合复合膜,为六层结构,由基层、底层、硬磁层、中间层、软磁层、保护层组成;基层为平面玻璃层,在基层上部为底层,即银层,在底层上部为硬磁层,即铁铂合金层,在硬磁层上部为中间层,即钌层,在中间层上部为软磁层,即铁层,在软磁层上部为保护层,即银层。

交换耦合复合膜制备方法如下:

(1)精选化学物质材料

对制备所需的化学物质材料要进行精选,并进行形状、尺寸、精度、质量纯度控制:

银靶:固态固体    99.9%

铁靶:固态固体    99.9%

钌靶:固态固体    99.9%

铁铂合金靶:固态固体    99.9%

无水乙醇:液态液体    99.5%

去离子水:液态液体    99.5%

电子清洗剂:2L-1    液态液体    99.5%

电子清洗剂:2L-2    液态液体    99.5%

氩气:气态气体    99.99%

平面玻璃:平面度100∶0.1

(2)超声清洗基层-平面玻璃基片

①用去离子水400ml浸泡,超声波清洗10min;

②用电子清洗剂超声清洗

配制清洗液,将电子清洗剂ZL-1、ZL-2、去离子水按6∶3∶500的比例配制清洗液;

将平面玻璃基片、清洗液置于烧杯中,将烧杯置于可加热的超声清洗器中;

加热温度为75℃,超声清洗时间40min;

然后,停止加热,自然冷却至20℃±1℃;

③去离子水超声清洗

将平面玻璃基片置于超声波清洗器中,加入去离子水400ml,超声清洗15min,超声清洗重复进行三次;

④无水乙醇超声清洗

将平面玻璃基片置于超声波清洗器中,加入无水乙醇400ml,超声清洗15min,超声清洗重复进行三次;

(3)真空干燥

将超声清洗后的平面玻璃基片置于真空干燥箱中进行干燥,干燥温度55℃±2℃,真空度10Pa,干燥时间10min;

(4)清洗磁控溅射炉

①打开磁控溅射炉,用吸尘器抽洗炉腔内污物及有害物质,使其清洁;

②用去离子水擦洗磁控溅射炉腔,使其洁净;

③无水乙醇擦洗磁控溅射炉炉口、炉腔、炉盖、密封盖,使其洁净;

(5)磁控溅射、制备交换耦合复合膜

①放置溅射靶

打开磁控溅射炉盖,在炉腔底部的水冷磁控工作台上部的靶位上,置放银靶、铁铂靶、钌靶、铁靶;

②置放平面玻璃基片

在密封盖下部的水冷转盘上置放平面玻璃基片,并放平固牢;

③关闭密封盖,使其密封;

④开启水冷工作台内的进水阀、出水阀,进行水循环冷却;

⑤开启炉盖上的水冷转盘的进水阀、出水阀,进行水循环冷却;

⑥开启真空泵,抽取炉腔内空气,使炉腔内真空度为2×10-4Pa;

⑦开启氩气瓶,输入氩气,输入速度40cm3/min,驱除炉腔内有害物质;

炉腔内真空度压强值持续保持在1.0Pa时,开启各靶电源,使氩离子对靶材进行轰击,开始预溅射;

⑧平面磁控溅射工作台上的布置为:银靶、铁铂靶、钌靶、铁靶,铁铂靶、钌靶、铁靶为直流电源,银靶为交流电源,即射频靶;

⑨开启水冷转盘,使其做顺时针匀速转动,转动速度5r/min;

⑩开启测厚探头,对准平面玻璃基片,按镀层顺序逐层测量镀层厚度;

镀层开始:

镀底层,即银层,开启交流射频靶,交流电压10V、功率10W,溅射速率0.141nm/s,底层厚度为30nm;

镀硬磁层,即铁铂合金层,开启直流铁铂合金靶,直流电压334V、功率20W、溅射速率为0.168nm/s,硬磁层厚度为20nm;

镀中间层,即钌层,开启直流钌靶,直流电压340V、功率10W、溅射速率为0.078nm/s,中间层厚度为1nm;

镀软磁层,即铁层,开启直流铁靶,直流电压282V、功率20W、溅射速率为0.147nm/s,软磁层厚度为3nm;

镀保护层,即银层,开启直流银靶,直流电压296V、功率10W、溅射速率为0.141nm/s,保护层厚度为1nm;

炉腔内温度持续恒定在20℃±1℃;

观察窗观察炉腔内溅射状况;

镀层完成后,关闭各水循环冷却进水阀、出水阀,关闭各溅射靶电源,关闭氩气瓶、关闭真空泵,关闭水冷转盘电机;

(6)开炉取膜

打开密封盖,取出平面玻璃及镀膜,即:交换耦合复合膜,膜层厚度为55nm;

(7)真空退火

将制备的复合膜置于钼产物舟中,然后置于真空退火炉中,密闭退火炉,抽取炉内真空,真空度为2×10-4Pa,然后开始升温,升温速度20℃/min,温度升至550℃±1℃,在此温度恒温保温60min±2min,然后关闭加热器,在真空状态下,随炉冷却至20℃±1℃;

(8)退火后取出复合膜

关闭退火炉真空泵,打开炉盖,取出钼舟及复合膜,即:银灰色交换耦合复合膜产物;

(9)检测、化验、分析、表征

对制备的交换耦合复合膜的形貌、结构、色泽、成分和磁学性能进行检测、化验、分析、表征;

用X射线衍射仪进行结构分析;

用振动样品磁强仪进行磁学性能分析;

用表面形貌仪进行厚度分析;

结论:交换耦合复合膜,呈银灰色,为纳米级六层结构,即:基层、平面玻璃层,底层、银层,硬磁层、铁铂合金层,中间层、钌层,软磁层、铁层,保护层、银层;

(10)储存

对制备的交换耦合复合膜产物置于无色透明的玻璃容器中,储存于阴凉、干燥、洁净环境,要防水、防潮、防晒、防酸碱盐侵蚀,储存温度20℃±1℃,相对湿度≤10%。

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