[发明专利]一种自组装生长池及自组装生长的控制系统

权利要求书

1.一种自组装生长池，包括：

由热导率高的金属制成的外壳；

玻璃内胆；

其中，所述玻璃内胆与温度传感器接触，所述自组装生长池的内部环境与所述自组装生长池外部的绝压传感器相连。

2.权利要求1所述的自组装生长池，其中，所述玻璃内胆与所述外壳紧密接合。

3.权利要求1所述的自组装生长池，其中，所述玻璃内胆与所述外壳之间填入导热性好的金属箔。

4.一种自组装生长控制系统，包括：

自组装生长池、温度控制模块和压强控制模块；

其中，所述温度控制模块包括温度传感器、温度控制电路和半导体制冷片；所述压强控制模块包括绝压传感器、压强控制电路和压电阀；

所述温度传感器布置在所述自组装生长池的靠近晶体生长的前沿，所述半导体制冷片布置在所述自组装生长池的侧面或者底部，所述温度控制电路连接在所述温度传感器与所述半导体制冷片之间，用于控制所述自组装生长池的温度；

所述绝压传感器和压电阀布置在所述自组装生长池上，所述压强控制电路布置在所述绝压传感器和压电阀之间，用于控制所述自组装生长池的压强；

所述自组装生长池的外壳由热导率高的金属制成，内部为玻璃内胆，所述温度传感器与所述玻璃内胆接触，所述绝压传感器与所述自组装生长池内部相连。

5.权利要求4所述的自组装生长控制系统，其中，所述玻璃内胆与所述外壳紧密接合。

6.权利要求4所述的自组装生长控制系统，其中，所述玻璃内胆与所述外壳之间填入导热性好的金属箔。

7.权利要求4所述的自组装生长控制系统，其中，所述温度传感器用于对所述自组装生长池进行温度测量，所述半导体制冷片用于根据接收的信号对所述自组装生长池制冷或者加热。

8.权利要求7所述的自组装生长控制系统，其中，所述温度控制电路包括测量比较电路和电流放大电路，所述测量比较电路用于接收所述温度传感器提供的所述自组装生长池的温度电压信号，并与设定的基准电压相比较，获取补偿电压信号；所述电流放大电路用于将所述补偿电压信号放大，提供给所述半导体制冷片。

9.权利要求4所述的自组装生长控制系统，其中，所述绝压传感器用于测量所述自组装生长池中的气体绝对压强，提供给所述压强控制电路；所述压电阀用于根据所述压强控制电路的输出信号，调节进气流量，对生长池中气体压强进行控制。

10.权利要求9所述的自组装生长控制系统，其中，所述压强控制电路包括测量比较电路，PID放大电路和高压放大电路；所述测量比较电路接收所述绝压传感器提供的所述自组装生长池的压强信号，并与设定电压值作差分比较，输出差分信号给PID放大电路，所述PID放大电路对所接收的差分信号进行放大并提供给所述高压放大电路，所述高压放大电路用于对所接收的信号进行高压放大，提供给所述压电阀。