[发明专利]半导体器件的栅极掺杂方法有效
| 申请号： | 200910084127.5 | 申请日： | 2009-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101894749A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 栅极 掺杂 方法 | ||
1.一种半导体器件的栅极掺杂方法，该方法应用于栅极的预掺杂过程，其特征在于，该方法包括：
将碳和用于形成非晶态层的无机物离子注入到半导体器件衬底上形成的氧化层和多晶硅层后，将预掺杂杂质离子注入到半导体器件衬底上形成的氧化层和多晶硅层；
光刻半导体器件衬底上形成的氧化层和多晶硅层形成栅极，再次氧化后，进行轻掺杂；
进行快速退后，刻蚀氧化层和多晶硅层，形成栅极。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将碳和用于形成非晶态层的无机物离子注入到半导体器件衬底上形成的氧化层和多晶硅层为：
先将碳离子注入到半导体器件衬底上形成的氧化层和多晶硅层；然后将用于形成非晶态层的无机物离子注入到半导体器件衬底上形成的氧化层和多晶硅层；
或者将碳和用于形成非晶态层的无机物同时离子注入到半导体器件衬底上形成的氧化层和多晶硅层。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，对于N型的场效应管MOSFET，预掺杂杂质为磷；对于P型的MOSFET，预掺杂杂质为硼或氟化硼。
4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述用于形成非晶态层的无机物为锗、硅或砷。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，对于N型MOSFET，所述预掺杂杂质磷的剂量为2.0E15～5.0E15原子/平方厘米，能量为4～8千电子伏特；
所述锗注入的能量为15～50千电子伏特，剂量为1.0E14～5.0E15原子/平方厘米；所述碳注入的能量为6～12千电子伏特，剂量为1.0E14～1.0E15原子/平方厘米；
所述栅极厚度为0.93微米～0.1微米。
6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，对于P型MOSFET，所述预掺杂杂质硼的剂量为2.0E15～3.0E15原子/平方厘米，能量为1～3千电子伏特；
所述锗注入的能量为15～50千电子伏特，剂量为1.0E14～5.0E15原子/平方厘米；所述碳注入的能量为6～12千电子伏特，剂量为1.0E14～1.0E15原子/平方厘米；
所述栅极厚度为0.93微米～0.1微米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
