[发明专利]生物质过程残渣的处理方法

权利要求书

1.一种生物质过程残渣的处理方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)将生物质过程残渣在惰性气氛中加热炭化，得到炭化材料；

(2)将步骤(1)所得到的炭化材料与扩孔剂混合，进行二次炭化，得到扩孔材料；

(3)将步骤(1)所得到的炭化材料或步骤(2)所得到的扩孔材料加热活化，得到Si/C基功能材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述生物质过程残渣选自醋糟、白酒糟、甘蔗渣、咖啡渣、茶渣和草药渣中的一种或几种。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)中的炭化温度为400～800℃，优选为450～650℃；优选地，所述步骤(1)中的炭化时间为0.5～5小时，优选为1～3小时。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)中的扩孔剂选自糖浆、造纸黑液、淀粉和焦油中的一种或几种；优选地，所述炭化材料与扩孔剂的混合质量配比为1～5∶1～1。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)中的二次炭化温度为400～800℃，优选为450～650℃；优选地，所述二次炭化时间为0.5～5小时，优选为1～3小时。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述步骤(3)中加热活化所使用的活化剂为H₂O或CO₂；优选地，所述步骤(3)中的活化温度为700～1000℃，优选为800～900℃；更优选地，所述步骤(3)中的活化时间为0.5～5小时，优选为1～3小时。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括清洗和干燥的步骤。

8.权利要求1至7中任一项所述方法制备的Si/C基功能材料，其特征在于，所述Si/C基功能材料的比表面积为200～800m²/g，优选为300～500m²/g；和/或优选地，所述Si/C基功能材料的孔径为0.5～5nm。

9.权利要求8所述Si/C基功能材料用于污水处理、燃油深度脱硫、吸附有害气体，以及作为催化剂载体、烟气脱汞吸附剂和/或VOC脱除吸附剂。

10.生物质过程残渣在制备Si/C基功能材料中的用途，其特征在于，所述生物质过程残渣选自醋糟、白酒糟、甘蔗渣、咖啡渣、茶渣和草药渣中的一种或几种。