[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和透明漏电极。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述透明漏电极与像素电极同层设置，并在同一次构图工艺中形成。

3.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述透明漏电极与像素电极为一体结构。

4.根据权利要求1～3中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述栅电极形成在基板上，其上形成有栅绝缘层，包括半导体层和掺杂半导体层的有源层形成在栅绝缘层上并位于栅电极的上方，其上形成TFT沟道区域，所述源电极形成在有源层上，钝化层形成在上述构图上并开设有钝化层过孔，所述透明漏电极通过钝化层过孔与有源层的掺杂半导体层连接。

5.根据权利要求4所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括金属漏电极，所述金属漏电极形成在有源层上并位于TFT沟道区域的一侧，与位于TFT沟道区域另一侧的源电极相对设置。

6.根据权利要求5所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述透明漏电极位于金属漏电极的外侧。

7.根据权利要求5所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述金属漏电极与源电极同层设置，并在同一次构图工艺中形成，所述金属漏电极上覆盖有钝化层。

8.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形；

步骤2、在完成前述步骤的基板上，通过构图工艺形成包括有源层、数据线、源电极和钝化层过孔的图形，所述钝化层过孔内暴露出有源层的掺杂半导体层表面；

步骤3、在完成前述步骤的基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括一体结构且相互连接的透明漏电极和像素电极的图形。

9.根据权利要求8所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤2包括：

步骤201、在完成前述步骤的基板上沉积栅绝缘层、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏金属薄膜，采用三调掩模板通过构图工艺形成包括有源层、数据线和源电极的图形；

步骤202、在完成前述步骤的基板上沉积钝化层，通过构图工艺形成包括钝化层过孔的图形，所述钝化层过孔包含了部分或全部漏电极区域。

10.根据权利要求9所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤201包括：

采用等离子体增强化学气相沉积方法，依次沉积栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜；

采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积源漏金属薄膜；

在所述源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶；

采用三调掩模板对光刻胶曝光，显影后使光刻胶形成光刻胶完全保留区域、光刻胶完全去除区域、第一光刻胶部分保留区域和第二光刻胶部分保留区域，其中，光刻胶完全保留区域对应于数据线和源电极图形所在区域，第一光刻胶部分保留区域对应于TFT沟道区域图形所在区域，第二光刻胶部分保留区域对应于漏电极区域，光刻胶完全去除区域对应于上述图形以外区域；

在光刻胶完全去除区域，首先通过湿法刻蚀工艺刻蚀掉源漏金属薄膜，然后通过干法刻蚀工艺刻蚀掉掺杂半导体薄膜和半导体薄膜；

通过灰化和刻蚀工艺形成包括TFT沟道区域的图形。

11.根据权利要求10所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述通过灰化和刻蚀工艺形成包括TFT沟道区域的图形包括：

通过灰化工艺去除第一光刻胶部分保留区域的光刻胶，暴露出该区域的源漏金属薄膜；

通过第二次干法刻蚀工艺完全刻蚀掉第一光刻胶部分保留区域的源漏金属薄膜和掺杂半导体薄膜，并刻蚀掉部分厚度的半导体薄膜，暴露出半导体薄膜，同时完全刻蚀掉第二光刻胶部分保留区域的源漏金属薄膜，暴露出掺杂半导体薄膜；

剥离剩余的光刻胶。

12.根据权利要求11所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述光刻胶完全保留区域光刻胶的厚度为所述第一光刻胶部分保留区域光刻胶的厚度为所述第二光刻胶部分保留区域光刻胶的厚度为