[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法，尤其是一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。目前，现有技术制造TFT-LCD阵列基板主要采用五次或四次构图工艺。五次构图工艺主要包括：栅线和栅电极构图、有源层构图、源/漏电极构图、过孔构图和像素电极构图。四次构图工艺是在五次构图工艺基础上，利用半色调或灰色调掩模板技术，将有源层构图与源/漏电极构图合并成一个构图工艺。

现有技术的半色调或灰色调掩模板设置有完全透光区域、部分透光区域和不透光区域，不透光区域对应于源电极和漏电极图形所在区域，部分透光区域对应于TFT沟道区域图形所在区域，完全透光区域对应于上述图形以外区域。实际应用中，为了避免紫外线穿过完全透光区域进入TFT沟道区域，现有技术通常采用增加漏电极宽度的方法来保证TFT沟道区域的刻蚀质量。但由于该方法增加了薄膜晶体管中漏电极的尺寸，因此存在有效透光区域小、开口率低的技术缺陷。

发明内容

本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，有效克服现有技术有效透光区域小、开口率低的技术缺陷。

为了实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和透明漏电极。

所述透明漏电极与像素电极同层设置，并在同一次构图工艺中形成。

所述透明漏电极与像素电极为一体结构。

在上述技术方案基础上，所述栅电极形成在基板上，其上形成有栅绝缘层，包括半导体层和掺杂半导体层的有源层形成在栅绝缘层上并位于栅电极的上方，其上形成TFT沟道区域，所述源电极形成在有源层上，钝化层形成在上述构图上并开设有钝化层过孔，所述透明漏电极通过钝化层过孔与有源层的掺杂半导体层连接。

所述薄膜晶体管还包括金属漏电极，所述金属漏电极形成在有源层上并位于TFT沟道区域的一侧，与位于TFT沟道区域另一侧的源电极相对设置。

所述透明漏电极位于金属漏电极的外侧。

所述金属漏电极与源电极同层设置，并在同一次构图工艺中形成，所述金属漏电极上覆盖有钝化层。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，包括：

步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形；

步骤2、在完成前述步骤的基板上，通过构图工艺形成包括有源层、数据线、源电极和钝化层过孔的图形，所述钝化层过孔内暴露出有源层的掺杂半导体层表面；

步骤3、在完成前述步骤的基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括一体结构且相互连接的透明漏电极和像素电极的图形。

其中，所述步骤2可以包括：

步骤201、在完成前述步骤的基板上沉积栅绝缘层、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏金属薄膜，采用三调掩模板通过构图工艺形成包括有源层、数据线和源电极的图形；

步骤202、在完成前述步骤的基板上沉积钝化层，通过构图工艺形成包括钝化层过孔的图形，所述钝化层过孔包含了部分或全部漏电极区域。

其中，所述步骤2也可以包括：

步骤211、在完成前述步骤的基板上沉积栅绝缘层、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏金属薄膜，采用半色调或灰色调掩模板通过构图工艺形成包括有源层、数据线、源电极和金属漏电极的图形；

步骤212、在完成前述步骤的基板上沉积钝化层，通过构图工艺形成包括钝化层过孔的图形，所述钝化层过孔内的金属漏电极被刻蚀掉，暴露出有源层的掺杂半导体层表面。

本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，通过第一次构图工艺形成栅线和栅电极，通过第二次构图工艺形成数据线和源电极，通过第三次构图工艺形成钝化层过孔，通过第四次构图工艺形成一体结构的透明漏电极和像素电极。由于本发明采用透光的透明漏电极，因此有效增加了像素区域的透光面积，提高了开口率。开口率的提高不仅可以增加亮度，而且可以降低背光板的亮度，从而节省能耗和制造成本。

附图说明

图1为本发明TFT-LCD阵列基板的平面图；

图2为图1中A1-A1向的剖面图；

图3为本发明TFT-LCD阵列基板第一次构图工艺后的平面图；