[发明专利]一种低纯度硅制备单晶棒的方法无效
| 申请号： | 200910112105.5 | 申请日： | 2009-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101660197A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 南毅;郑智雄;张伟娜;林霞 | 申请（专利权）人： | 南安市三晶阳光电力有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 | 代理人： | 张松亭 |
| 地址： | 362000福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纯度 制备 单晶棒 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低纯度硅制备单晶棒的方法，包括加料，抽空，熔化，充氩气，仔晶浸入，细颈， 放肩，等径，冷却，取晶步骤，其特征在于：在等径过程中，在等径体长度为1～500mm 时，其平均拉径速度为0.95～1.25mm/min，其上限速度为1.6mm/min，下限速度为 0.30mm/min，增加热场-1.0～3.0℃；在等径体长度为600～2300mm时，其上限速度 为1.30mm/min，下限速度为0.30mm/min，增加热场5～120℃，其中，所述的低纯度 硅纯度为99.99％以上。
2.如权利要求1所述的一种低纯度硅制备单晶棒的方法，其特征在于：所述的低纯度硅 为回熔锅底料或物理法硅材料。
3.如权利要求1所述的一种低纯度硅制备单晶棒的方法，其特征在于：抽真空后通氩气， 通气压力0.25-0.65MPa，氩气流量20-50L/min，炉压600-3000Pa。
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