[发明专利]多X射线生成设备和X射线摄像设备有效
申请号: | 200910118644.X | 申请日: | 2009-02-27 |
公开(公告)号: | CN101521136A | 公开(公告)日: | 2009-09-02 |
发明(设计)人: | 奥贯昌彦;辻井修;清水英;小仓隆 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01J35/00 | 分类号: | H01J35/00;H05G1/26 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;陈立航 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射线 生成 设备 摄像 | ||
技术领域
本发明涉及用于在使用X射线源的医疗设备和工业设备的 领域中的非破坏性射线照相、诊断等的多X射线生成设备,以 及使用该多X射线生成设备的X射线摄像设备。
背景技术
通常,X射线管使用热离子源(thermion source)作为电子源, 将来自加热至高温的细丝的热离子发送至维纳尔电极(Wehnelt electrode)、引出电极(extraction electrode)、加速电极和透镜电 极,并将电子束加速成高能量电子束。在将电子束成形(shaping) 为期望的形状之后,X射线管通过利用电子束照射金属制成的X 射线靶(target)而生成X射线。
近来,已经开发了冷阴极(cold cathode)电子源作为替代热 离子源的电子源,并将冷阴极电子源作为与平板检测器(FPD) 组合的应用而广泛研究。作为典型的冷阴极,已知有Spindt型 电子源,其通过向几十纳米大小的针尖施加高电场来引出电子。 可利用的还有,例如,使用碳纳米管(CNT)作为材料的电子发 射器,以及通过在玻璃基板的表面上形成纳米(nm)级的微结构 来发射电子的表面传导型电子源。
作为这些电子源的应用,日本特开平09-180894和日本特开 2004-329784提出了通过使用Spindt型电子源或碳纳米管型电子 源形成单个电子束来引出X射线的技术。日本特开平08-264139 和Applied Physics Letters 86,184104(2005),J.Zhang ″Stationary scanning x-ray source based on carbon nanotube field emitters″公开了通过利用来自使用多个冷阴极电子源的多电子 源的电子束来照射X射线靶从而生成X射线的技术。
另外,日本特开2007-265981公开了将来自多X射线源的多 个X射线束形成为无任何相互干扰的、具有优良特性的多X射线 束的X射线设备。
可以利用旋转靶型X射线源作为传统的单焦点X射线源。已 有通过使用这种X射线源来生成具有不同的辐射质(radiation quality)的X射线的方法。作为该方法的具体例子,日本特开平 05-028939和05-036368公开了利用电子束分别照射放置在一个 旋转靶101上的两种类型的靶材料102和102a的方法,如在图13 中所示。另外,日本特开平01-204649公开了通过在一个旋转靶 的两个表面上布置不同的靶材料来生成具有不同的辐射质的X 射线的方法及其应用方法。
在作为单焦点X射线源的代表性旋转靶型X射线源中,由于 在电子源的形状、靶结构等方面的限制,从一个管可以获得的 辐射质的类型的数量受限为约两个。另外,由于X射线源的焦 点的数量也受限为约两个,因此难以根据被摄体的身体部位及 其形状调整辐射质和剂量条件并且难以获得高质量的X射线图 像。
发明内容
考虑到上述问题已经作出本发明。本发明的典型实施例提 供了通过增加选择X射线源中的辐射质和照射位置的自由度, 从而能够高速地以低剂量地获得具有高对比度的X射线图像的 X射线生成设备和X射线摄像设备。
根据本发明的一个方面,提供了一种多X射线生成设备, 包括:多电子源,其包括二维布置的多个电子源,并通过根据 所提供的驱动信号选择性地驱动所述多个电子源而输出来自所 驱动的电子源的电子;以及靶单元,其包括以与所述多个电子 源相对的方式二维布置的多个靶,根据从所述多电子源输出的 电子的照射来生成X射线,并根据X射线的生成位置来输出具有 不同辐射质的X射线,其中,通过所述多电子源中电子源的选 择性驱动来控制来自所述靶单元的X射线的生成位置和辐射 质。
此外,根据本发明的另一方面,提供了一种X射线摄像设 备,包括:所述多X射线生成设备;二维X射线检测器,其生成 与从所述多X射线生成设备输出并且已经到达检测面的X射线 的剂量相对应的电信号;以及驱动部件,用于根据驱动条件生 成驱动信号,并通过向所述多电子源提供所述驱动信号来驱动 各电子源。
根据以下参考附图对典型实施例的说明,本发明的其它特 征将变得清楚。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的多X射线生成设备的结构的 示例的图;
图2是元件基板的平面图;
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