[发明专利]具有顶部及底部侧电连接的晶片级集成电路封装

权利要求书

1、一种集成电路晶片，其包括：

第一侧及第二侧；

涂覆材料，其形成于所述第一侧上；

沟槽，其在划线区处形成于所述晶片中，所述沟槽从所述第一侧延伸到所述第二侧且填充有所述涂覆材料；

若干接合垫，其形成于所述第一侧上且分布于所述沟槽的相对侧上；及

若干接合线，其连接到所述接合垫，所述接合线延伸穿过所述沟槽且至少部分地暴露于所述第一或第二侧上。

2、如权利要求1所述的晶片，其中所述涂覆材料是有机涂覆材料。

3、如权利要求1所述的晶片，其进一步包括：

形成于所述第二侧上的介电层。

4、如权利要求1所述的晶片，其进一步包括：

若干垫位点，其安置于所述第一或第二侧上以用于与已暴露的接合线连接。

5、如权利要求4所述的晶片，其中所述垫位点通过形成于所述第一或第二侧上的再分布层中的金属迹线连接到已暴露的接合线。

6、如权利要求4所述的晶片，其中所述垫位点连接到焊料球。

7、如权利要求1所述的晶片，其中所述接合线是经涂覆或绝缘的。

8、一种集成电路装置，其包括：

衬底，其具有第一侧和第二侧；

涂覆材料，其形成于所述衬底的所述第一侧及边缘上，所述涂覆材料沿所述边缘从所述第一侧延伸到所述第二侧；

若干接合垫，其形成于所述第一侧上；及

若干接合线，其连接到所述接合垫，所述接合线延伸穿过形成于所述边缘上的所述涂覆材料，所述接合线至少部分地暴露于所述第一及第二侧上；及

集成电路，其安置于所述第一侧上且电连接到所述接合垫。

9、如权利要求8所述的装置，其中所述涂覆材料是有机涂覆材料。

10、如权利要求8所述的装置，其进一步包括：

形成于所述第二侧上的介电层。

11、如权利要求8所述的装置，其进一步包括：

若干垫位点，其安置于所述第一或第二侧上以用于与已暴露的接合线连接。

12、如权利要求11所述的装置，其中所述垫位点通过形成于所述第一或第二侧上的再分布层中的金属迹线连接到所述已暴露的接合线。

13、如权利要求11所述的装置，其中所述垫位点连接到焊料球。

14、如权利要求8所述的装置，其中所述接合线是经涂覆或绝缘的。

15、一种制造晶片级集成电路封装的方法，其包括：

在集成电路晶片的划线区处形成沟槽区，所述晶片具有第一侧及第二侧，其中将若干线接合垫安置于所述第一侧上及所述划线区的相对侧上；

用光致抗蚀剂涂覆所述第一侧；

曝光并显影所述沟槽区中的所述光致抗蚀剂；

在所述第一侧上沉积金属层；

从所述晶片剥离包含所述光致抗蚀剂上的所述金属层的所述光致抗蚀剂，所述剥离留下所述沟槽区中的所述金属层；

将接合线从所述线接合垫连接到所述沟槽区的基底；

用有机材料涂覆所述第一侧；及

图案化所述有机涂层以至少部分地暴露所述第一侧上的所述接合线。

16、如权利要求15所述的方法，其进一步包括：

图案化所述晶片以至少部分地暴露所述第二侧上的所述接合线。

17、如权利要求15所述的方法，其中使用锯割或蚀刻形成所述沟槽区。

18、如权利要求15所述的方法，其中所述沟槽区的深度在安置于所述第一侧上的最低电路元件以下至少约2微米。

19、如权利要求15所述的方法，其中使用真空沉积技术沉积所述金属层。

20、如权利要求15所述的方法，其中所述有机涂层是选自由以下构成的有机涂层群组中的一者：环氧树脂、环氧树脂模制化合物、聚酰亚胺及苯并环丁烯(BCB)。

21、如权利要求15所述的方法，其中所述接合线由选自由以下构成的金属群组中的金属制成：铜、铝、钨、氮化钛、硅化物、硅化钛、硅化钴、硅化镍及金。