[发明专利]一种制备四氟化硅的方法有效
| 申请号： | 200910127244.5 | 申请日： | 2009-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101544374A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 张月和;薛明;李青娟;蔡春立;王伟 | 申请（专利权）人： | 六九硅业有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 071051河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 氟化 方法 | ||
1.一种制备四氟化硅的方法，包括：
a)将含NaAlF4原料粉末和Si源粉末混合；
b)将步骤a)得到的混合物与硫酸加热至240℃～350℃反应得到四氟化硅。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤a)之后还包括步骤：
b0)将步骤a)得到的混合物在200℃～350℃的条件下煅烧；
所述步骤b)为：
将所述煅烧后的煅烧产物与硫酸加热至240℃～350℃反应得到四氟化硅。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于步骤b)包括：
将所述煅烧后的煅烧产物送至温度为240℃～350℃的第一反应器，同时通过设置在所述第一反应器上的硫酸管道向所述第一反应器内送入硫酸与所述煅烧产物反应生成四氟化硅，所述四氟化硅经由所述硫酸管道从第一反应器抽出。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在与所述步骤b0)中的煅烧温度为280℃～320℃。
5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于所述Si源为硅石粉、石英砂中的一种或两种。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于所述Si源的粉末粒径为80目～200目。
7.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于所述含NaAlF4原料粉末的粒径为80目～200目。
8.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于所述步骤b)中的加热温度为280℃～340℃。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于所述步骤b)中的加热温度为280℃～320℃。
10.一种制备四氟化硅的方法，包括步骤：
I)将氢铝化钠与四氟化硅在温度为30℃～60℃的条件下反应制备硅烷；
II)将步骤I)中得到的副产物NaAlF4作为原料按照权利要求1至9任一项所述的方法制备四氟化硅。
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