[发明专利]基板处理系统的洗净方法和基板处理系统有效
申请号: | 200910128448.0 | 申请日: | 2009-03-17 |
公开(公告)号: | CN101540274A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | 沼仓雅博;望月宏朗;饭岛清仁 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/205 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 系统 洗净 方法 | ||
1.一种基板处理系统的洗净方法,该基板处理系统具有容纳基板 的收容室,对包括多个批次的所述基板连续地实施规定处理,并且, 执行所述收容室的洗净处理,其特征在于,包括:
次数设定步骤,预先设定与执行所述洗净处理的定时相对应的执 行次数,
处理设定步骤,对各批次预先设定所述规定处理的种类和与该规 定的处理相适应的洗净处理的种类,
种类判断步骤,判断在连续的两个批次中,前面的批次的所述规 定处理的种类,和后面的批次的所述规定处理的种类是否相同,
次数累加步骤,在所述前面的批次的所述规定处理的种类,和所 述后面的批次的所述规定处理的种类相同时,累加该规定处理的执行 次数,并且
在所述累加的所述规定处理的执行次数达到所述预先设定的执行 次数时,对于包含之前刚实施了所述规定处理的所述基板的批次,执 行所述设定种类的洗净处理。
2.如权利要求1所述的基板处理系统的洗净方法,其特征在于,
在所述次数累计步骤中,仅在所述前面的批次和所述后面的批次 的时间间隔在规定时间以内时,累加所述规定处理的执行次数。
3.如权利要求1或2所述的基板处理系统的洗净方法,其特征在 于,
在所述种类判断步骤中,根据所述前面的批次的所述规定处理的 名称和所述后面的批次的所述规定处理的名称,判断所述前面的批次 的所述规定处理的种类和所述后面的批次的所述规定处理的种类是否 相同。
4.如权利要求1或2所述的基板处理系统的洗净方法,其特征在 于,
在所述次数累加步骤中,当所述前面的批次的所述规定处理的种 类与所述后面的批次的所述规定处理的种类相同或相似时,累加该规 定处理的执行次数。
5.一种基板处理系统,其具有容纳基板的收容室和控制部,对包 括多个批次的所述基板连续地实施规定处理,并且,执行所述收容室 的洗净处理,其特征在于,
所述控制部,
预先设定与执行所述洗净处理的定时相对应的执行次数,
对于各批次预先设定所述规定处理的种类和与该规定的处理相适 应的洗净处理的种类,
判断在连续的两个批次中,前面的批次的所述规定处理的种类, 和后面的批次的所述规定处理的种类是否相同,
在所述前面的批次的所述规定处理的种类,和所述后面的批次的 所述规定处理的种类相同时,累加该规定处理的执行次数,
所述累加的所述规定处理的执行次数达到所述已设定的执行次数 时,对于包含之前刚实施了所述规定处理的所述基板所包含的批次, 实施所述被设定种类的洗净处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造