[发明专利]基板处理系统的洗净方法和基板处理系统有效
申请号: | 200910128448.0 | 申请日: | 2009-03-17 |
公开(公告)号: | CN101540274A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | 沼仓雅博;望月宏朗;饭岛清仁 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/205 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 系统 洗净 方法 | ||
技术领域
本发明涉及基板处理系统的洗净方法、存储介质以及基板处理系 统,尤其是涉及对多个批次(lot)的基板实施规定处理的基板处理系 统的洗净方法。
背景技术
基板处理系统具有容纳作为基板的晶片的腔室,在该腔室内产生 等离子体,对晶片进行等离子处理,例如蚀刻处理和CVD处理。在该 腔室以单片对多个晶片连续地实施等离子处理,其间,在对腔室内的 部件表面进行等离子处理中产生的反应生成物和浮游在腔室内的颗 粒。因而,在基板处理系统中定期地对腔室内实施洗净处理。
作为腔室内的洗净处理公知有,向该腔室内注入清洗气体,由该 清洗气体生成等离子体,利用该等离子体对附着的颗粒等进行蚀刻的 处理(例如,参考专利文献1)。另外,在清洗气体生成等离子体时, 腔室内容纳晶片。
一般情况下,在基板处理系统中由25个晶片构成1个批次(lot), 基板处理系统根据制定该基板处理系统的动作的程序,对于1个批次 所包含的各个晶片,实施用于从该晶片来制造半导体设备等制品的离 子处理(以下称为“制品处理”)。基板处理系统由于具有多个、例如2 个腔室,所以对于1个批次,在各个腔室内对6~7个晶片实施制品处 理。另外,对于同一批次对各个晶片实施相同制品处理。
从处理高效化的观点看,要求连续执行多个晶片的制品处理和洗 净处理,应对于此,本发明人开发了使该基板处理系统连续执行关于1 批次量的晶片进行制品处理和洗净处理的第一程序。在该第一程序中, 在各个腔室中对6~7各晶片实施制品处理时,至少执行1次洗净处理。
由于在腔室内的在构成部件的表面等上附着的颗粒的附着量因制 品处理的内容(处理气体的种类和压力等)而不同,所以对在1个批 次中分配到每个腔室的6~7个晶片进行制品处理,也会有颗粒的附着 量少、各个腔室无需进行洗净处理的情况。在这种情况下,如果使用 第1程序,对于1个批次,各个腔室至少要进行一次洗净处理,所以 晶片的处理效率、即半导体设备的制造效率低下。
所以,本发明的发明者开发了第2程序,该程序不进行洗净处理, 连续地对晶片进行制品处理,晶片数量在1个批次分配到每个腔室的 数量之上。该第2程序使基板处理系统在批次变化的情况下,也进行 各个腔室内制品处理的执行次数的累加,该执行次数如果超过预先设 定的次数,在各个腔室实施洗净处理。因此,颗粒的附着量少的制品 处理在各个晶片上实施时,能够涉及多个批次连续地对各个晶片实施 制品处理后,进行洗净处理。即,颗粒的附着量达到一定量,必须进 行洗净处理时,能够洗净各个腔室。
在该第2程序中,对于各个腔室只能预先设定1种洗净处理。并 且,与对各个批次的晶片实施的制品处理的内容不相关地累加制品处 理的执行次数。
【专利文献1】日本专利特开平8-176828号公报
发明内容
但是,多个批次的晶片的处理中,在对各个批次的晶片实施的制 品处理的种类不同的情况下,腔室的预先设定种类的洗净处理不适于 之前刚实施过的制品处理时,例如制品处理产生的反应生成物不属于 CF类,但是实施的洗净处理适用于除去树脂类的附着物时,不能够适 当地洗净腔室。
另外,腔室的预先设定种类的洗净处理,即便适用于该洗净处理 实施稍前的制品处理,实施于以前批次的晶片的制品处理的种类也有 时不同于该洗净处理实施稍前的制品处理的种类。在这种情况下,预 先设定种类的洗净处理适用的制品处理在洗净处理实施之前的执行次 数没有达到预先设定的次数,所以是在不当条件下实施洗净处理。
本发明的目的是提供一种能够在适当条件下适当地洗净收容室的 基板处理系统的洗净方法、存储介质和基板处理系统。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造