[发明专利]阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明关于一种阵列基板及其制造方法，特别是有关于一种可增大芯片压合面积的阵列基板。

背景技术

目前，手机及一般电子产品搭载TFT-LCD作为人机沟通接口已是常态，而需求也从过去的基本文字显示功能转变为更多娱乐与动画显示功能，因此分辨率的要求也就越来越高。在追求分辨率与成本考虑下，细间隙(fine pitch)芯片(IC)也就日趋重要，为了在小面积的芯片容纳更多的功能，对玻璃覆晶(chip on glass，COG)制程的精度要求越来越高。传统机台渐渐无法满足需求，请参见图1，图1为现有阵列基板10的示意图，在阵列基板10上，通常设有多条线路11，且在各线路11上设置垫片12。继续参见图2A和图2B，图2A为图1中的垫片12与IC块13对位正常时的示意图，图2B为图1中的垫片12与IC块13对位偏移时的示意图。当对位偏移时，IC块13压到相邻线路，由于线路11表层仅有保护层，IC块13有可能会压穿保护层而造成线路短路。同时，垫片12面积较小，可能因COG制程中的偏移而造成压合面积不足，从而因阻抗过大造成显示异常。另外，若因考虑偏移而增加IC块13的长度来确保压合面积满足制程需求，则使IC的宽度无法缩减。

发明内容

针对上述技术问题，本发明通过将垫片扩大至覆盖邻近走线，使有效压合面积加大。

本发明提供的阵列基板，包含基板、第一线路、第二线路、图案化保护层和导电层。第一线路设置于基板上。第二线路以与第一线路平行的方式设置于基板上。图案化保护层设置于基板上并覆盖第一线路以及第二线路，且具有开口暴露出部分该第一线路。导电层设置于开口内并与第一线路接触，该导电层在与第二线路垂直的方向上延伸且覆盖到该第二线路。

根据本发明所述的阵列基板，导电层由氧化铟锡制成。图案化保护层包含第一层和第二层，该第一层具有P-SiNx组份，该第二层具有Ge-SiNx组份。

根据本发明所述的阵列基板，第一线路与第二线路之间具有间隔区。更进一步地，导电层跨越第一线路、间隔区以及第二线路。

本发明还提供一种阵列基板的制造方法，包含以下步骤。提供基板。形成彼此平行的第一线路及第二线路于该基板上。形成图案化保护层于该基板上并覆盖该第一线路及该第二线路，其中该图案化保护层具有开口暴露出部分该第一线路。于该开口内形成图案化导电层，其中该导电层在与该第二线路垂直的方向上延伸且覆盖到该第二线路。

根据本发明所述的制造方法，在形成图案化导电层的步骤中，该导电层的覆盖面跨越该第一线路以及该第二线路。

通过本发明，使得压合制程范围较宽，可容许机台精度不足的问题，更使IC可设计的更小。

附图说明

图1为现有阵列基板的示意图；

图2A为图1中的垫片与IC块对位正常时的示意图；

图2B为图1中的垫片与IC块对位偏移时的示意图；

图3为本发明一实施例的阵列基板的示意图；

图4为图3中的A-A截面的示意图；

图5为本发明一实施例的阵列基板的垫片与IC块对位时的示意图；

图6为图5中的B-B截面的示意图。

具体实施方式

为使对本发明的目的、构造、特征、及其功能有进一步的了解，兹配合实施例详细说明如下。

请参见图3和图4，图3为本发明一实施例的阵列基板30的示意图，图4为图3中的A-A截面的示意图。阵列基板30包含基板39、第一线路31、第二线路32、图案化保护层33和导电层34。第一线路31设置于基板39上。第二线路32以与第一线路31平行的方式设置于基板39上。图案化保护层33设置于基板39上并覆盖第一线路31以及第二线路32，且具有至少一开口333暴露出部分该第一线路31。导电层34设置于开口333内并与第一线路31接触，该导电层34在与第二线路32垂直的方向上延伸且覆盖到该第二线路32。具体来说，第一线路31与第二线路32之间具有间隔区。更进一步地，导电层34跨越第一线路31、间隔区以及第二线路32。

在一实施例中，导电层34由氧化铟锡(ITO)制成。图案化保护层33可包含第一层331和第二层332，该第一层331具有P-SiNx组份，该第二层332具有Ge-SiNx组份。