[发明专利]发光二极管与其制造方法有效
| 申请号： | 200910141123.6 | 申请日： | 2009-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101656286A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 陈鼎元;邱文智;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 与其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管元件，包括：
一基材；
一非金属反射层位于该基材的表面上，其中所述非金属反射层为导电的 非金属反射层；以及
一发光二极管结构形成于该非金属反射层之上。
2.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该非金属反射层包括交替 的一第一材料与一第二材料，其中该第一材料与该第二材料各自为一非金属 材料。
3.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该非金属反射层包括交替 的硅与硅化锗、硅与碳化硅、硅化锗与碳化硅或碳化硅与氮化镓。
4.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该非金属反射层包括二氧 化硅。
5.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该非金属反射层包括交替 的高孔隙度硅层与低孔隙度硅层。
6.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该非金属反射层包括全方 位反射器。
7.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该发光二极管结构为垂直 式LED。
8.如权利要求1所述的发光二极管元件，还包括散热孔延伸穿过该反射 结构。
9.一种发光二极管元件的制造方法，包括：
提供一第一基材；
形成一反射结构于该第一基材之上，其中该反射结构为一非金属结构且 为导电的非金属反射层；以及
形成一发光二极管结构位于该反射结构之上。
10.如权利要求9所述的发光二极管元件的制造方法，其中形成该发光 二极管结构包括：
形成该发光二极管于一第二基材之上；
接合该发光二极管结构至该反射结构；以及
移除该第二基材。
11.如权利要求10所述的发光二极管元件的制造方法，其中该反射结构 包括二氧化硅。
12.如权利要求9所述的发光二极管元件的制造方法，其中形成该反射 结构包括形成交替的一第一非金属层与一第二非金属层。
13.如权利要求9所述的发光二极管元件的制造方法，其中形成该反射 结构包括形成交替的高孔隙度硅层与低孔隙度硅层。
14.如权利要求9所述的发光二极管元件的制造方法，其中该反射结构 包括一全方位反射器。
15.如权利要求9所述的发光二极管元件的制造方法，其中该反射结构 包括交替的硅与硅化锗、硅与碳化硅、硅化锗与碳化硅或碳化硅与氮化镓。
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