[发明专利]被处理体的热处理装置和热处理方法有效
申请号: | 200910146681.1 | 申请日: | 2009-06-11 |
公开(公告)号: | CN101604623A | 公开(公告)日: | 2009-12-16 |
发明(设计)人: | 山贺健一;王文凌 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/324;G05D23/22 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 热处理 装置 方法 | ||
1.一种被处理体的热处理装置,其特征在于,包括:
除收容多个被处理体以外还能够收容具有弹性波元件的测温用被处 理体的能够进行排气的处理容器;
在保持有所述多个被处理体和所述测温用被处理体的状态下向所述 处理容器内装载以及卸载的保持单元;
向所述处理容器内导入气体的气体导入单元;
对收容在所述处理容器内的所述多个被处理体以及所述测温用被处 理体进行加热的加热单元;
为了向收容在所述处理容器内的所述弹性波元件发送测定用电波而 经由高频线路与发送器连接的作为发送用天线发挥功能的第一导电性部 件;
为了接收从收容在所述处理容器内的所述弹性波元件发射的对应于 温度的电波而经由高频线路与接收器连接的作为接收用天线发挥功能的 第二导电性部件;
基于由所述接收用天线接收的电波求出所述测温用被处理体的温度 的温度分析部;和
控制所述加热单元的温度控制部,
所述第一导电性部件作为所述处理容器内的热处理部的一部分设置,
所述第二导电性部件也作为所述处理容器内的热处理部的一部分设 置。
2.如权利要求1所述的被处理体的热处理装置,其特征在于:
在所述高频线路上插装有高频成分通过但截止低频成分以及直流成 分的高频滤波部。
3.如权利要求1所述的被处理体的热处理装置,其特征在于:
所述加热单元具有加热电源和经由供电线路连接在该加热电源上的 电阻加热器。
4.如权利要求3所述的被处理体的热处理装置,其特征在于:
为了将所述处理容器内分隔为温度控制用的多个加热区段,而将所述 电阻加热器区分为能够分别单独地进行供给电力的控制的多个区段加热 器。
5.如权利要求4所述的被处理体的热处理装置,其特征在于:
相邻的区段加热器间呈电导通状态,另一方面,在每个区段加热器上 设有供电线路。
6.如权利要求4所述的被处理体的热处理装置,其特征在于:
相邻的区段加热器间呈电绝缘状态,另一方面,在每个区段加热器上 设有供电线路。
7.如权利要求3所述的被处理体的热处理装置,其特征在于:
所述第一导电性部件及/或所述第二导电性部件为所述电阻加热器。
8.如权利要求3所述的被处理体的热处理装置,其特征在于:
在所述供电线路上插装有加热电力通过但截止高频成分的电力滤波 部。
9.如权利要求8所述的被处理体的热处理装置,其特征在于:
所述温度控制部分时地送出应供给所述电阻加热器的加热电力和应 从所述发送器送出的测定用电波的电力。
10.如权利要求1所述的被处理体的热处理装置,其特征在于:
所述保持单元由导电性材料构成,
所述第一导电性部件及/或所述第二导电性部件为所述保持单元。
11.如权利要求1所述的被处理体的热处理装置,其特征在于:
所述气体导入单元由导电性材料构成,
所述第一导电性部件及/或所述第二导电性部件为所述气体导入单元。
12.如权利要求10所述的被处理体的热处理装置,其特征在于:
所述第一导电性部件及/或所述第二导电性部件由半导体构成。
13.如权利要求12所述的被处理体的热处理装置,其特征在于:
所述半导体由选自多晶硅、单晶硅、SiC、SiGe、GaN、ZnO、AlN、 和GaAs中的一种材料构成。
14.如权利要求1所述的被处理体的热处理装置,其特征在于:
在所述测温用被处理体上设有多个弹性波元件,
所述多个弹性波元件的频带被设定为彼此不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造