[发明专利]电熔丝和半导体装置有效

专利信息
申请号: 200910166066.7 申请日: 2009-08-11
公开(公告)号: CN101651128A 公开(公告)日: 2010-02-17
发明(设计)人: 竹胁利至 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H01L23/525 分类号: H01L23/525;H01L23/532
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙志湧;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电熔丝 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种电熔丝,包括:

要被切断的互连;以及

第一端子和第二端子,其分别提供在所述要被切断的互连的两端,

所述要被切断的互连包括:

第一定向膜,其包含铜作为主要成分并且被定向在(111)面 中;以及

第二定向膜,其包含铜作为主要成分并且被定向在(511)面 中,

在所述第一定向膜的宽度方向上,所述第二定向膜被提供在 所述第一定向膜内部以使得分割所述第一定向膜,其中所述第一定向 膜的宽度方向垂直于从所述第一端子到所述第二端子的方向。

2.根据权利要求1所述的电熔丝,其中:

所述第一端子和所述第二端子中的每个端子被形成为宽度比所述 要被切断的互连的宽度更大;

所述第一端子和所述第二端子主要包括所述第一定向膜;以及

在所述要被切断的互连内的第二定向膜相对于第一定向膜的含量 比在所述第一端子和所述第二端子内的第二定向膜相对于第一定向膜 的含量更大。

3.根据权利要求1所述的电熔丝,其中,

所述第二定向膜包含除铜之外的不同元素。

4.根据权利要求1所述的电熔丝,其中,

所述第一定向膜包含除铜之外的不同元素。

5.一种半导体装置,包括:

衬底;以及

电熔丝,所述电熔丝包括:

要被切断的互连,其形成在所述衬底上;以及

第一端子和第二端子,其分别提供在所述要被切断的互连的 两端,

所述要被切断的互连包括:

第一定向膜,其包含铜作为主要成分并且被定向在(111) 面中;以及

第二定向膜,其包含铜作为主要成分并且被定向在(511) 面中,

在所述第一定向膜的宽度方向上,所述第二定向膜被提 供在所述第一定向膜内部以使得分割所述第一定向膜,其中所述第一 定向膜的宽度方向垂直于从所述第一端子到所述第二端子的方向。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,

所述第一端子和所述第二端子中的每个端子被形成为宽度比所述 要被切断的互连的宽度更大;

所述第一端子和所述第二端子主要包括所述第一定向膜;以及

在所述要被切断的互连内的第二定向膜相对于第一定向膜的含量 比在所述第一端子和所述第二端子内的第二定向膜相对于第一定向膜 的含量更大。

7.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,

所述第二定向膜包含除铜之外的不同元素。

8.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,

所述第一定向膜包含除铜之外的不同元素。

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