[发明专利]共平面开关模式液晶显示器件及其制造方法无效
申请号: | 200910175769.6 | 申请日: | 2009-10-13 |
公开(公告)号: | CN101762903A | 公开(公告)日: | 2010-06-30 |
发明(设计)人: | 李濬熙;李宰玄 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G02F1/1335;G02F1/13363;G02F1/1343;G02B5/30 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平面 开关 模式 液晶显示 器件 及其 制造 方法 | ||
本申请要求2008年12月23日提交的韩国专利申请2008-0132544的权益,该专利申请的全部内容通过引用引入本文。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器件,尤其涉及一种共平面开关模式液晶显示器件以及制造该共平面开关模式液晶显示器件的方法。
背景技术
随着信息时代的发展,已经开发了处理并显示大量信息的显示器件。特别地,为了满足诸如重量轻、外形薄和功率消耗低这样的特性,需要平板显示(FPD)器件。结果,已经提出了在颜色再现性和外形方面具有优点的液晶显示(LCD)器件。
LCD器件使用液晶分子的光学各向异性和偏振特性产生图像。由于液晶分子具有细长形状和用于取向的预倾角,所以通过施加的电场改变所述预倾角可以控制液晶分子的取向方向。因此,液晶分子的取向根据通过向液晶层施加电压所控制的液晶分子的取向方向而变化。结果,通过液晶分子的光学各向异性调节偏振光来显示图像。在几种类型的LCD器件中,由于其中薄膜晶体管(TFT)和与TFT连接的像素电极以矩阵设置的有源矩阵LCD(AM-LCD)器件的高分辨率和显示运动图像的出色品质,其目前得到广泛使用。
现有LCD器件包括具有公共电极的滤色器基板、具有像素电极的阵列基板、和夹在滤色器基板与阵列基板之间的液晶层。在现有LCD器件中,液晶层由像素电极与公共电极之间的垂直电场驱动。该现有LCD器件提供了出色的透射率和较高的开口率。然而,因为该现有LCD器件由垂直电场驱动而具有较窄的视角。为了克服上述缺点,已经开发了具有较宽视角的多种其他类型的LCD器件,如共平面开关(IPS)模式LCD器件。
图1A是现有共平面开关模式液晶显示器件在ON状态下的剖面图,而图1B是现有共平面开关模式液晶显示器件在OFF状态下的剖面图。
在图1A和1B中,共平面开关(IPS)模式液晶显示(LCD)器件10包括具有薄膜晶体管(未示出)的第一基板20、具有滤色器层和黑矩阵的第二基板30以及在第一和第二基板20和30之间的液晶层40。在第一基板20上交替形成有公共电极22和像素电极24。根据施加给公共电极22和像素电极24的电压产生电场E,液晶层40的液晶分子40a和40b沿电场E重新排列。
在图1A的ON状态下,向公共电极22和像素电极24施加电压,产生电场E。电场E在公共电极22和像素电极24正上方具有垂直部分,而在公共电极22和像素电极24之间具有水平部分。因此,在公共电极22和像素电极24正上方的第一液晶分子40a不重新排列,在公共电极22和像素电极24之间的第二液晶分子40b沿电场E重新排列。由于公共电极22和像素电极24之间的液晶层40在ON状态中沿电场E的水平部分重新排列,所以IPS模式LCD器件10以宽视角显示图像。例如,相对于IPS模式LCD器件的法线方向,可沿上下左右方向以大约80°到大约85°的视角显示图像。
在图1B的OFF状态下,由于没有向公共电极22和像素电极24施加电压,所以没有产生电场E。因此,液晶层40的第一和第二液晶分子40a和40b不重新排列。
在根据现有技术的IPS模式LCD器件中,分别通过第一和第二基板外表面上的第一和第二偏振片来调节穿过IPS模式LCD器件的光的偏振态。
图2是显示根据现有技术的共平面开关模式液晶显示器件的剖面图。
在图2中,共平面开关(IPS)模式液晶显示(LCD)器件10包括彼此面对且隔开的第一和第二基板20和30、以及在第一和第二基板20和30之间的液晶层40。尽管图2中没有示出,但在第一基板20的内表面上形成有产生电场的公共电极和像素电极。
此外,在第一和第二基板20和30的外表面上分别形成有第一和第二偏振片52和54。第一偏振片52包括第一支撑层52a、第一偏振层52b和第一保护层52c,第二偏振片54包括第二支撑层54a、第二偏振层54b和第二保护层54c。第一和第二支撑层52a和54a每个都包括具有大约0延迟的三醋酸纤维素(TAC)。通过拉伸吸附了碘(I)或染料的聚乙烯醇(PVA)形成确定偏振特性的每个第一和第二偏振层52b和54b。第一和第二保护层52c和54c每个也包括TAC。
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