[发明专利]非易失性存储设备及其编程方法和预充电电压提升方法

权利要求书

1.一种对非易失性存储设备编程的方法，包括：

根据载入页缓冲区中的数据对位线预充电；

通过将预充电的位线分别电连接到与所述位线对应的沟道来对沟道充 电；以及

在对沟道充电之后施加用于编程的字线电压，其中，根据载入相邻页缓 冲区中的数据来确定所述沟道中每个沟道的沟道电压提升，以及其中，至少 一个页缓冲区根据载入到至少一个相邻页缓冲区中的数据确定是否提高施 加到相应位线的预充电电压。

2.如权利要求1所述的方法，其中，当不同数据被分别载入页缓冲区中 彼此相邻的第一页缓冲区和第二页缓冲区中时，提高的预充电电压被施加到 第一位线和第二位线中的一个，所述第一位线与该第一页缓冲区对应，所述 第二位线与该第二页缓冲区对应。

3.如权利要求2所述的方法，其中，当数据‘1’被载入所述第一页缓 冲区中并且数据‘0’被载入所述第二页缓冲区中时，提高的预充电电压被 施加到所述第一位线。

4.如权利要求2所述的方法，其中，所述提高的预充电电压是电源电压 或者高于电源电压的电压。

5.如权利要求4所述的方法，其中，所述提高的预充电电压是高压发生 器生成的，并且所生成的提高的预充电电压被直接施加到所述第一位线。

6.如权利要求4所述的方法，其中，所述提高的预充电电压是使用所述 第一位线与所述第二位线之间的耦合的提升而得到的。

7.如权利要求6所述的方法，其中，预充电电压被施加到所述第一位线， 具有该预充电电压的第一位线被浮置一段预定时间，并且该预充电电压被施 加到所述第二位线该段预定时间，以得到所述提高的预充电电压。

8.如权利要求1所述的方法，其中，施加字线电压包括：

将通过电压施加到未选择的字线；以及

将编程电压施加到选定的字线。

9.一种提升非易失性存储设备的沟道预充电电压的方法，包括：

将预充电电压施加到第一位线；

将具有该预充电电压的该第一位线浮置；

当该第一位线处于浮置状态时，通过将所述预充电电压施加到与第一位 线相邻的第二位线来提升第一位线的预充电电压；以及

通过将该第一位线电连接到与第一位线对应的沟道，将该提升的预充电 电压施加到该沟道，

其中，与第一位线相应的第一页缓冲区根据载入到与第二位线相应的第 二页缓冲区中的数据确定是否提升第一位线的预充电电压。

10.如权利要求9所述的方法，其中，当执行编程操作时，所述第一位 线连接到编程禁止单元，所述第二位线连接到编程单元。

11.一种非易失性存储设备，包括：

存储单元阵列，包括多个布置在多个字线与多个位线交叉的区域中的存 储单元；

多个页缓冲区，临时存储待编程到该存储单元阵列的数据或者临时存储 从该存储单元阵列读取的数据；和

位线选择电路，将所述多个位线分别电连接到所述多个页缓冲区，

其中，根据编程操作中在位线设置期间载入相邻页缓冲区中的数据的状 态，确定是否提高与页缓冲区对应的位线的预充电电压，

其中，所述位线选择电路包括多个位线选择晶体管，所述多个位线选择 晶体管具有连接到位线的漏极、连接到页缓冲区的源极以及接收位线控制信 号的栅极，所述位线控制信号是从页缓冲区产生用于控制位线设置操作的。

12.如权利要求11所述的非易失性存储设备，其中，所述多个页缓冲区 中的每一个都根据载入相邻页缓冲区中的数据的状态来确定是否提高预充 电电压。

13.如权利要求12所述的非易失性存储设备，其中，所述位线选择电路 包括多个位线选择晶体管，所述多个位线选择晶体管具有连接到位线的漏 极、连接到页缓冲区的源极以及接收位线控制信号的栅极，所述位线控制信 号是根据载入相邻页缓冲区中的数据的状态从页缓冲区产生的。