[发明专利]互连结构及其形成方法

权利要求书

1.一种互连结构，其特征在于，包括：

半导体基底；

位于所述半导体基底上的至少两个第一金属衬垫；

位于需要连接的第一金属衬垫之间的第一碳纳米管，用于电连接所述需要连接的第一金属衬垫。

2.根据权利要求1所述的互连结构，其特征在于，所述半导体基底包括导电层和位于导电层上的第一介质层，所述第一介质层内具有第一金属插塞；所述第一金属插塞电连接所述导电层和所述第一金属衬垫。

3.根据权利要求2所述的互连结构，其特征在于，还包括：

第二介质层，位于第一金属衬垫及半导体基底上，第二介质层中具有第二金属插塞；用于电连接所述第一金属衬垫和第二金属衬垫；

至少两个第二金属衬垫，位于第二介质层上；

第二碳纳米管，位于需要连接的第二金属衬垫之间，用于电连接所述需要连接的第二金属衬垫。

4.根据权利要求3所述的互连结构，其特征在于，还包括：

第三介质层，位于第二金属衬垫及第二介质层上，第三介质层中具有第三金属插塞；用于电连接第二金属衬垫和第三金属衬垫；

至少两个第三金属衬垫，位于第三介质层上；

第三碳纳米管，位于需要连接的第三金属衬垫之间，用于电连接所述需要连接的第三金属衬垫。

5.根据权利要求4所述的互连结构，其特征在于，所述第一金属衬垫、第二金属衬垫和第三金属衬垫的材料为金属铝。

6.根据权利要求5所述的互连结构，其特征在于，所述第一金属插塞为钨插塞，第二金属插塞和第三金属插塞为铜插塞或钨插塞。

7.根据权利要求4所述的互连结构，其特征在于，所述第一介质层和/或第二介质层和/或第三介质层为普通介电常数或低介电常数的介电材料。

8.根据权利要求4所述的互连结构，其特征在于，所述第一介质层和/或第二介质层和/或第三介质层的材料为二氧化硅。

9.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：

提供半导体基底；

在所述半导体基底上形成至少两个第一金属衬垫；

在需要连接的第一金属衬垫之间形成第一碳纳米管，用于电连接所述需要连接的第一金属衬垫。

10.根据权利要求9所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述半导体基底包括导电层和位于导电层上的第一介质层，所述第一介质层内具有第一金属插塞；所述第一金属插塞电连接所述导电层和所述第一金属衬垫。

11.根据权利要求10所述的互连结构的形成方法，其特征在于，还包括步骤：

在第一金属衬垫及半导体基底上形成第二介质层；

在第二介质层中形成第二金属插塞；

在所述第二介质层上形成至少两个第二金属衬垫；

在需要连接的第二金属衬垫之间形成第二碳纳米管，用于电连接所述需要连接第二金属衬垫。

12.根据权利要求11所述的互连结构形成方法，其特征在于，还包括步骤：

在第二金属衬垫及第二介质层上形成第三介质层；

在第三介质层中形成第三金属插塞；

在所述第三介质层上形成至少两个第三金属衬垫；

在需要连接的第三金属衬垫之间形成第三碳纳米管，用于电连接需要连接的所述第三金属衬垫。

13.根据权利要求12所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述第一金属衬垫、第二金属衬垫和第三金属衬垫的材料为金属铝。

14.根据权利要求13所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述第一金属插塞为钨插塞，第二金属插塞和第三金属插塞为铜插塞或钨插塞。

15.根据权利要求12所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层和/或第二介质层和/或第三介质层为普通介电常数或低介电常数的介电材料。

16.根据权利要求12所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层和/或第二介质层和/或第三介质层的材料为二氧化硅。