[发明专利]半导体芯片的电极、具有电极的半导体芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 200910203375.7 | 申请日： | 2009-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101604817A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 多田健太郎 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 电极 具有 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体激光器，包括：
n侧电极，所述n侧电极形成在包含镓(Ga)的n型半导体层的 表面上，
其中所述n侧电极包括：
金属层，其具有等于或大于1原子％且等于或小于10原子％的Ga 含量，
其中，所述金属层被设置成与所述n型半导体层接触，并且 其中主要组成所述金属层的金属是Ti。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述n型半导体 层包括III-V化合物。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述n型半导体 层是n型氮化物半导体层。
4.一种制造半导体激光器的方法，包括：
制备包含镓(Ga)的n型半导体层；
在所述n型半导体层的表面上形成n侧电极；
其中，所述形成n侧电极包括：
在所述n型半导体层的所述表面上沉积包含Ga的金属层；
以及
采用具有等于或大于1原子％且等于或小于10原子％的Ga 含量的金属材料，以由此形成所述金属层，
其中主要组成所述金属层的金属是Ti。
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