[发明专利]用于亚阈值存储单元阵列的位线漏电流补偿电路无效

专利信息
申请号: 200910213432.X 申请日: 2009-11-06
公开(公告)号: CN101699561A 公开(公告)日: 2010-04-28
发明(设计)人: 柏娜;邓小莺;陈鑫;杨军;时龙兴 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G11C7/12 分类号: G11C7/12
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 奚幼坚
地址: 210096*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 用于 阈值 存储 单元 阵列 漏电 补偿 电路
【权利要求书】:

1.一种用于亚阈值存储单元阵列的位线漏电流补偿电路,其特征在于:设置两个 PMOS管分别作为第一补偿晶体管及第二补偿晶体管;设置三个PMOS管分别作为第一 预充平衡晶体管、第二预充平衡晶体管及第三预充平衡晶体管;设置一个PMOS管和 NMOS管构成第一屏蔽传输门,设置另一个PMOS管和NMOS管构成第二屏蔽传输门; 设置两个电容分别作为第一逻辑存储电容、第二逻辑存储电容;其中:

第一、第二两补偿晶体管的源端均连接电源电压,第一、第二两补偿晶体管的栅端与 各自的体端连接并分别与第一、第二屏蔽传输门的输入端连接作为存储单元阵列的位线端 及位线的非端,第一补偿晶体管的漏端与第一屏蔽传输门的输出端以及第一逻辑存储电容 的一端连接在一起,第一逻辑存储电容的另一端接地;第二补偿晶体管的漏端与第二屏蔽 传输门的输出端以及第二逻辑存储电容的一端连接在一起,第二逻辑存储电容的另一端接 地;第一、第二屏蔽传输门中各自PMOS管的体端与栅端相连,分别作为第一、第二屏 蔽传输门的控制端,用于各自补偿控制信号的输入;第一、第二屏蔽传输门中各自NMOS 管的体端与栅端相连,分别作为第一、第二屏蔽传输门的互补控制端,用于各自补偿控制 信号的非端输入;第一屏蔽传输门中的PMOS管的源端与NMOS管的漏端相连至该屏蔽 传输门的输入端,第一屏蔽传输门中的PMOS管的漏端与NMOS管的源端相连至该屏蔽 传输门的输出端;同理,第二屏蔽传输门中的PMOS管的源端与NMOS管的漏端相连至 该屏蔽传输门的输入端,第二屏蔽传输门中的PMOS管的漏端与NMOS管的源端相连至 该屏蔽传输门的输出端;第一、第二预充平衡晶体管的源端均连接电源电压,第一、第二 预充平衡晶体管的漏端分别与位线及位线的非端连接;第三预充平衡晶体管的源漏端分别 接位线和位线的非端;第一、第二、第三3个预充平衡晶体管的栅端连接在一起并连接到 预充平衡信号。

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