[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，其包括：

第一导电型半导体层；

在所述第一导电型半导体层上的有源层；

在所述有源层和所述第一导电型半导体层的至少一侧上以及在所述有 源层上的第二导电型半导体层；

在所述第一导电型半导体层下方的第一电极，和

在所述第二导电型半导体层上的第二电极层，

其中远离所述有源层的所述第一导电型半导体层的水平宽度大于靠近 所述有源层的所述第一导电型半导体层的水平宽度，

其中所述第二导电型半导体层与所述第一导电型半导体层的侧表面直 接接触。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中形成在所述有源层和所述第一导 电型半导体层的两个侧面上的所述第二导电型半导体层用作所述钝化层。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其中通过形成在所述有源层和所述第 一导电型半导体层的两个侧面上的所述第二导电型半导体层使得所述有 源层和所述第一导电型半导体层的两个侧面没有暴露出。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二导电型半导体层覆盖 所述有源层和所述第一导电型半导体层。

5.根据权利要求2所述的发光器件，其中在所述有源层和所述第一导电 型半导体层的侧面上的所述第二导电型半导体层比在所述有源层的顶部 上的所述第二导电型半导体层薄。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其中在所述有源层和所述第一导电 型半导体层的侧面上的所述第二导电型半导体层的厚度为约或者更 小。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其包括在所述第一导电型半导体层 下方的非导电半导体层。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其包括在所述第一导电型半导体层 的两侧处的第一图案。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述第一导电型半导体层也在 所述第一图案上。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中在所述有源层和所述第一导电 型半导体层的侧面上的所述第二导电型半导体层形成为具有用于隔离的 高电阻率。

11.一种发光器件，其包括：

第一导电型半导体层；

在所述第一导电型半导体层上的有源层；

在所述有源层和所述第一导电型半导体层的至少一侧上以及在所述有 源层上的第二导电型半导体层；

在所述第二导电型半导体层上的第二电极层；和

在所述第一导电型半导体层下方的第一电极，

其中所述第二导电型半导体层与所述第一导电型半导体层的侧表面直 接接触。

12.根据权利要求11所述的发光器件，其中在所述有源层和所述第一导电 型半导体层的侧面上的所述第二导电型半导体层比在所述有源层的顶部 上的所述第二导电型半导体层薄。

13.根据权利要求12所述的发光器件，其中在所述第一导电型半导体层的 侧面上的所述第二导电型半导体层不导致耗尽。

14.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述第二电极层包括欧姆接触 层、反射层、耦合层和第二衬底中的至少一个或者更多个。

15.根据权利要求11所述的发光器件，其包括在所述第一导电型半导体层 下的表面粗糙结构。

16.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述第二导电型半导体层在所 述有源层的顶部和侧面上以及在所述第一导电型半导体层的侧面上。

17.根据权利要求11所述的发光器件，其中远离所述有源层的所述第一导 电型半导体层的表面的水平宽度大于靠近所述有源层的所述第一导电型 半导体层的表面的水平宽度。

18.根据权利要求11所述的发光器件，其包括在所述第一导电型半导体层 下方的非导电半导体层。