[发明专利]发光器件

说明书

技术领域

本发明涉及发光器件(LED)。

背景技术

发光器件(LED)是将电流转变为光的半导体器件。在红色LED商业 化之后，红色LED和绿色LED已经用作用于包括信息通信器件的电子器 件的光源。

例如，氮化镓(GaN)半导体具有高的热稳定性和宽的带隙。GaN半 导体可与其它元素(例如In和Al)结合以制造发绿光、蓝光或白光的半 导体层，并且其发射波长易于控制。因此，GaN半导体已经在包括LED 的高功率电子器件技术领域中引起众多关注。

根据相关技术，不仅GaN衬底而且由不同材料(例如硅、蓝宝石和碳 化硅(SiC))形成的异质衬底均用于生长GaN外延层。当在这种异质衬 底上生长GaN基材料时，由于晶格常数和热膨胀系数之间的失配，所以在 生长的薄层中包含有许多缺陷，例如穿透位错(TD)。

此外，根据相关技术，使用基于干蚀刻或者湿蚀刻的隔离工艺来提供 LED芯片之间的隔离。然而，在基于蚀刻的隔离工艺期间，等离子体或者 化学品会损伤LED，由此使芯片的可靠性劣化。

发明内容

实施方案提供具有低晶体缺陷的发光器件(LED)。

实施方案还提供不需要用于芯片间隔离的隔离工艺的LED。

在一个实施方案中，一种发光器件(LED)包括：第一导电型半导体 层；在所述第一导电型半导体层上的有源层；和在有源层和第一导电型半 导体层的至少一个侧面上以及在有源层上的第二导电型半导体层。

在另一个实施方案中，一种发光器件(LED)包括：第一导电型半导 体层；在第一导电型半导体层上的有源层；在有源层和第一导电型半导体 层的侧面上的第二导电型半导体层；在第二导电型半导体层上的第二电极 层；和在第一导电型半导体层下方的第一电极。

将在附图和以下的说明中描述一个或多个实施方案的细节。由说明书 和附图以及权利要求，其它特征将变得明显。

附图说明

图1是根据一个实施方案的发光器件的截面图。

图2～5是显示制造根据一个实施方案的发光器件的方法的截面图。

实施方案的详细描述

以下参考附图详细地描述根据实施方案的发光器件(LED)。

在实施方案的描述中，应理解，当称层(或膜)在另一层或衬底“上/ 上方”时，其可直接在另一层或者衬底上/上方，或者也可存在中间层。此 外，应理解，当称层在另一层“下/下方”时，其可以直接在另一层下/下方， 并且也可存在一个或多个中间层。另外，还应理解，当称层在两层“之间” 时，其可以是在所述两层之间仅有的层，或也可存在一个或多个中间层。

图1是根据一个实施方案的发光器件(LED)的截面图。

参考图1，根据一个实施方案的LED可包括：第一导电型半导体层120； 在第一导电型半导体层120上形成的有源层130；和在有源层130和第一 导电型半导体层120的至少一侧上以及在有源层130上的第二导电型半导 体层140。

LED可还包括：在第二导电型半导体层140上形成的第二电极层150； 和在第一导电型半导体层120上形成的第一电极125。第二电极层150可 包括欧姆接触层152、第二衬底(154)。

下文将参考图2～5对图1中未描述的附图标记进行描述。

根据实施方案，使用选择性生长工艺来生长LED结构中具有低晶体缺 陷的GaN基材料，由此提供高内部效率、高可靠性和良好的电流分布。

根据实施方案，使用选择性生长工艺，在第一导电型半导体层的侧面 上不生长有源层，而是在第一导电型半导体层的侧面上生长第二导电型半 导体层。因此，没有暴露出有源层，并且第二导电型半导体层用作防止产 生漏电流的钝化层。因此，可减少用于芯片间隔离的隔离工艺的数目，并 且可减少在芯片间隔离工艺期间因等离子体或者化学品所造成的损伤。

而且，根据实施方案，在形成LED之后LED芯片具有截顶的倒金字 塔(TIP)形状，因此提供良好的光提取效果。

图2～5是显示制造根据一个实施方案的发光器件的方法的截面图。