[发明专利]半导体设备及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体设备的方法，包括如下步骤：

在衬底之上形成第一导电层；

在所述第一导电层之上选择性地形成具有多个厚度的抗蚀剂掩 模；

通过使用所述抗蚀剂掩模来刻蚀第一导电层以形成栅极电极和 第一布线；

去除所述栅极电极之上的抗蚀剂掩模并留下所述第一布线之上 的抗蚀剂掩模的部分；

形成栅极绝缘层以覆盖所述栅极电极、所述第一布线以及所述抗 蚀剂掩模；

在所述栅极绝缘层之上形成第二导电层；

选择性地刻蚀所述第二导电层以形成源极电极和漏极电极，并形 成与所述第一布线重叠的第二布线；以及

形成半导体层，其在与所述栅极电极重叠的区域中与所述源极电 极和漏极电极接触。

2.根据权利要求1所述的用于制造半导体设备的方法，其中，所 述半导体层是包含铟、镓和锌的氧化物的半导体层。

3.根据权利要求1所述的用于制造半导体设备的方法，其中，所 述第一布线被形成，使得在与所述抗蚀剂掩模重叠的区域中的第一布 线的宽度小于其它区域中的第一布线的宽度。

4.根据权利要求1所述的用于制造半导体设备的方法，其中，所 述第二布线被形成，使得在与所述抗蚀剂掩模重叠的区域中的第二布 线的宽度小于其它区域中的第二布线的宽度。

5.根据权利要求1所述的用于制造半导体设备的方法，其中，所 述第一布线被形成，使得在与所述抗蚀剂掩模重叠的区域中的第一布 线的厚度大于其它区域中的第一布线的厚度。

6.根据权利要求1所述的用于制造半导体设备的方法，还包括在 与所述抗蚀剂掩模重叠的区域中的第二布线之上形成导电层的步骤。

7.根据权利要求1所述的用于制造半导体设备的方法，其中，所 述半导体设备选自下列之一：广告、电子书、电视机、数字相框、游 戏机和电话。

8.根据权利要求1所述的用于制造半导体设备的方法，其中，所 述半导体设备是海报。

9.一种用于制造半导体设备的方法，包括如下步骤：

在衬底之上形成第一导电层；

在所述第一导电层之上选择性地形成抗蚀剂掩模；

通过使用所述抗蚀剂掩模来刻蚀所述第一导电层以形成栅极电 极和第一布线；

去除所述栅极电极和所述第一布线之上的抗蚀剂掩模；

在所述第一布线之上形成绝缘层；

形成栅极绝缘层以覆盖所述栅极电极、所述第一布线和所述绝缘 层；

在所述栅极绝缘层之上形成第二导电层；

选择性地刻蚀所述第二导电层以形成源极电极和漏极电极，并形 成与所述第一布线重叠的第二布线；以及

形成半导体层，其在与所述栅极电极重叠的区域中与所述源极电 极和漏极电极接触。

10.根据权利要求9所述的用于制造半导体设备的方法，其中， 所述半导体层是包含铟、镓和锌的氧化物的半导体层。

11.根据权利要求9所述的用于制造半导体设备的方法，其中， 所述第一布线被形成，使得在与所述抗蚀剂掩模重叠的区域中的第一 布线的宽度小于其它区域中的第一布线的宽度。

12.根据权利要求9所述的用于制造半导体设备的方法，其中， 所述第二布线被形成，使得在与所述抗蚀剂掩模重叠的区域中的第二 布线的宽度小于其它区域中的第二布线的宽度。

13.根据权利要求9所述的用于制造半导体设备的方法，其中， 所述第一布线被形成，使得在与所述抗蚀剂掩模重叠的区域中的第一 布线的厚度大于其它区域中的第一布线的厚度。

14.根据权利要求9所述的用于制造半导体设备的方法，还包括 在与所述抗蚀剂掩模重叠的区域中的第二布线之上形成导电层的步 骤。