[发明专利]一种CMOS整流器

权利要求书

1.一种CMOS整流器，其特征在于，包括：

CMOS整流模块，用于将交流信号转化为直流信号；

偏置模块，用于为所述CMOS整流模块提供偏置电压；

时钟信号产生模块，用于为所述偏置模块提供不交叠的时钟信号。

2.根据权利要求1所述的整流器，其特征在于，所述CMOS整流模块包含一个或多个级联的整流单元。

3.根据权利要求2所述的整流器，其特征在于，所述偏置模块包含一个或多个偏置单元，该偏置单元的数目与所述整流单元的数目相同。

4.根据权利要求2所述的整流器，其特征在于，所述整流单元包括第一电容器(C1)，第一PMOS管(pM1)和第一NMOS管(nM1)；第一电容器(C1)的一端为交流信号输入端，另一端分别接至第一PMOS管(pM1)的漏极和第一NMOS管(nM1)的漏极；第一PMOS管(pM1)的栅极接第一偏置电压，源极为整流信号输出端，衬底接源极；第一NMOS管(nM1)的栅极接第二偏置电压，源极接低一级整流单元的整流信号输出端或接地，衬底接地，所述第一偏置电压和第二偏置电压由所述偏置模块提供。

5.根据权利要求3所述的整流器，其特征在于，所述偏置单元包括第二PMOS管(pMb)、第二NMOS管(nMb)、第三电容器(Cbp)、第四电容器(Cmp)、第五电容器(Cmn)、第六电容器(Cbn)、第一至第八开关(SW1)-(SW8)，其中：

第一开关(SW1)与第三开关(SW3)组成的串联电路一端接电源(Vdd)，另一端接至第二PMOS管(pMb)的源极与第二PMOS管(pMb)的衬底的接合点；第二开关(SW2)与第四开关(SW4)组成的串联电路一端接地，另一端接至第二PMOS管(pMb)的漏极；第三电容器(Cbp)连接在第一开关(SW1)和第三开关(SW3)的接合点与第二开关(SW2)和第四开关(SW4)的接合点之间；第四电容器(Cmp)连接在第二PMOS管(pMb)的源极与漏极之间，第二PMOS管(pMb)的栅极为第一偏置电压输出端；

第五开关(SW5)与第七开关(SW7)组成的串联电路一端接电源(Vdd)，另一端接至第二NMOS管(nMb)的漏极；第六开关(SW6)与第八开关(SW8)组成的串联电路一端接地，另一端接至第二NMOS管(nMb)的源极；第六电容器(Cbn)连接在第五开关(SW5)和第七开关(SW7)的接合点与第六开关(SW6)和第八开关(SW8)的接合点之间；第五电容器(Cmn)连接在第二NMOS管(nMb)的漏极与源极之间，第二NMOS管(nMb)的栅极为第二偏置电压输出端，第二NMOS管(nMb)的衬底接地；

第一开关(SW1)、第二开关(SW2)、第五开关(SW5)和第六开关(SW6)由第二时钟信号(Clk2)控制；第三开关(SW3)、第四开关(SW4)、第七开关(SW7)和第八开关(SW8)由第一时钟信号(Clk1)控制，所述第一时钟信号(Clk1)和第二时钟信号(Clk2)由所述时钟信号产生模块提供。

6.根据权利要求1所述的整流器，其特征在于，所述时钟信号产生模块为振荡电路。

7.一种射频功率检测电路，其特征在于，包括权利要求1至6任一项所述的CMOS整流器、及与该整流器的输出端相连的电压检测电路。