[实用新型]硅片测厚电容传感器无效
| 申请号： | 200920047021.3 | 申请日： | 2009-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN201449245U | 公开（公告）日： | 2010-05-05 |
| 发明（设计）人： | 赵丹;颜友钧;郑钰 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区瑞新自动化设备有限公司 |
| 主分类号： | G01B7/06 | 分类号： | G01B7/06 |
| 代理公司： | 苏州市新苏专利事务所有限公司 32221 | 代理人： | 许鸣石 |
| 地址： | 215021 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 电容 传感器 | ||
1.一种硅片测厚电容传感器，其特征在于：它包括有外壳(1)、内部安装结构件、电极、电极引出端；所述电极包括有中心圆形电极(2)、以及径向环形电极(3)，所述中心圆形电极(2)和径向环形电极(3)面积相等，径向环形电极(3)设于中心圆形电极(2)外围，两者同心设置，其之间间隙填充有绝缘体；所述电极引出端(4)由绝缘体灌封固定。
2.根据权利要求1所述的硅片测厚电容传感器，其特征在于：所述内部安装结构件为硬质聚四氟乙烯绝缘结构件。
3.根据权利要求1所述的硅片测厚电容传感器，其特征在于：所述绝缘体为环氧树脂。
4.根据权利要求1所述的硅片测厚电容传感器，其特征在于：所述电极为不锈钢电极。
5.根据权利要求1所述的硅片测厚电容传感器，其特征在于：所述中心圆形电极(2)和径向环形电极(3)间的间隙为0.12～0.18mm。
6.根据权利要求1或5所述的硅片测厚电容传感器，其特征在于：所述中心圆形电极(2)和径向环形电极(3)间的间隙为0.15mm。
7.根据权利要求1所述的硅片测厚电容传感器，其特征在于：所述外壳(1)为不锈钢外壳。
8.根据权利要求1所述的硅片测厚电容传感器，其特征在于：所述外壳(1)为圆柱形，外径长度10～50mm。
9.根据权利要求1或8所述的硅片测厚电容传感器，其特征在于：所述外壳(1)为圆柱形，外径长度20mm。
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