[实用新型]修复型锑铯光电阴极有效

专利信息
申请号: 200920074492.3 申请日: 2009-09-14
公开(公告)号: CN201498488U 公开(公告)日: 2010-06-02
发明(设计)人: 唐雪雄;康海峰;吴明康 申请(专利权)人: 上海泰雷兹电子管有限公司
主分类号: H01J31/50 分类号: H01J31/50;H01J1/34;H01J29/04
代理公司: 上海硕力知识产权代理事务所 31251 代理人: 童素珠
地址: 200444 上海市宝*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 修复 型锑铯 光电 阴极
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种电真空器件结构的改进装置,尤指一种用于X射线影像增强器输入部分常用的光电阴极,对于器件的性能、寿命和可靠性有很大的影响修复型锑铯光电阴极。

背景技术

光电阴极是电真空器件中的一个重要部件,它对于器件的性能、寿命和可靠性有很大的影响。许多电真空器件的失效都是因为阴极的不均匀、损坏和寿命终了而引起的。

目前,国际上X射线影像增强器输入部分常用的阴极为多碱、银-氧-铯和锑铯阴极等,而由于相对与光电阴极的蒸发机理,输入面比较大(一般为150mm-400mm),使得对阴极表面均匀性的控制比较棘手。这严重影响了最终产品的输出质量。

发明内容

为了克服上述不足之处,本实用新型的主要目的旨在提供一种选用至少四根10mm长的4J29可伐丝作为碱金属发生器中铯源触发针装置,设计一个能修复的光电阴极,以便在测试后能对产品的均匀性进行修复的修复型锑铯光电阴极。

本实用新型要解决的技术问题是:主要解决如何调整对产品的碱金属发生器结构的设计问题;要解决如何对铯源触发针的安装、分布和使用等有关技术问题。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:该装置包括电真空器件、X射线影像增强器输入部分的阴极及碱金属发生器等部件,在碱金属发生器外壳的下部为碱金属发生器前端,在碱金属发生器前端的下部设有至少四根铯源触发针,铯源触发针压摸烧结在305号平板玻璃上,上述各部件组合为改进型的碱金属发生器。

进一步的,所述的修复型锑铯光电阴极的四根铯源触发针连接四个铯源,其中两个为一般的锑铯光电阴极,剩余的两个铯源为修复型光电阴极。

进一步的,所述的修复型锑铯光电阴极的四根铯源触发针在305号平板玻璃上以中心轴对称均匀分布。

进一步的,所述的修复型锑铯光电阴极的铯源触发针为至少10mm长的4J29可伐丝。

进一步的,所述的修复型锑铯光电阴极的305号平板玻璃为可伐类专用平板玻璃。

本实用新型的有益效果是:该设计对环境要求不高,易在平时条件下对产品进行性能修复;该修复性的锑铯光电阴极的使用,大大减少了由于表面电子发射不均匀引起的产品报废率;锑铯光电阴极,在修复后的重新检测中,相关的性能指标都在国标、企标等规定范围内,完全符合X射线影像仪器使用单位对产品的要求,具有使用方便,提高产品质量等优点。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

附图1是本实用新型产品碱金属发生器前段部分的结构示意图;

附图2是本实用新型产品碱金属发生器前段部分的俯视图;

附图3是本实用新型产品的碱金属发生器整体结构外形示意图;

附图中标号说明:

1-铯源触发针;

2-305号平板玻璃;

3-碱金属发生器前端;

4-碱金属发生器外壳;

具体实施方式

请参阅附图1、2、3所示,本实用新型包括电真空器件、X射线影像增强器输入部分的阴极及碱金属发生器等部件,在碱金属发生器外壳4的下部为碱金属发生器前端3,在碱金属发生器前端3的下部设有至少四根铯源触发针1,铯源触发针1压摸烧结在305号平板玻璃2上,上述各部件组合为改进型的碱金属发生器。

进一步的,所述的修复型锑铯光电阴极的四根铯源触发针1连接四个铯源,其中两个为一般的锑铯光电阴极,剩余的两个铯源为修复型光电阴极。

进一步的,所述的修复型锑铯光电阴极的四根铯源触发针1在305号平板玻璃2上以中心轴对称均匀分布。

进一步的,所述的修复型锑铯光电阴极的铯源触发针1为至少10mm长的4J29可伐丝。

进一步的,所述的修复型锑铯光电阴极的305号平板玻璃2为可伐类专用平板玻璃。

本实用新型采取的具体实施例的技术方案是:

目前X射线影像增强器所用的电真空器件有其特殊性,即产品脱离了真空设备后才能进行检测性能,因此有必要设计一个能修复的光电阴极,以便在测试后能对产品的均匀性进行修复。为此,我们根据实际生产情况和相关理论,调整了产品的碱金属发生器结构(见附图1、2示意图),使光电阴极能在普通的暴露大气的情况下进行重新生长,以期得到表面均匀性得到修复的锑铯光电阴极产品。这种修复型锑铯光电阴极的设计重点在于两点:

(1)必须对光电阴极引入大量的氧气。在较高氧浓度的情况下氧渗透到光电阴极体内,一方面破坏了化合物。另一方面氧的渗透也减小了光电阴极基底层的光学吸收系数和电子逃逸深度。为新生长的光电阴极层打好了基础。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海泰雷兹电子管有限公司,未经上海泰雷兹电子管有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200920074492.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top