[发明专利]等离子体处理的光伏器件

权利要求书

1.一种制造薄膜光伏器件的方法，所述方法包括以下步骤：

在基底上沉积化合物半导体层；

使所述器件暴露于等离子体，等离子体处理所述层。

2.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括：将背接触涂敷到化合物半导体层上。

3.如权利要求2所述的方法，其中，在涂敷背接触之前进行等离子体处理。

4.如权利要求2所述的方法，其中，在涂敷背接触之后进行等离子体处理。

5.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括在基底之上涂敷透明导电层。

6.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括在化合物半导体层之上涂敷透明导电层。

7.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括在化合物半导体层之上涂敷第二化合物半导体层。

8.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括设置连接到光伏器件的电连接，用来采集由光伏器件产生的电能。

9.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括在等离子体处理之前使化合物半导体层经受氯化镉处理。

10.如权利要求1所述的方法，其中，等离子体处理进行大约5分钟。

11.如权利要求1所述的方法，其中，等离子体处理进行大约10分钟。

12.如权利要求1所述的方法，其中，等离子体处理进行大约20分钟。

13.如权利要求1所述的方法，其中，等离子体处理进行大约30分钟。

14.如权利要求1所述的方法，其中，等离子体处理包括活性离子蚀刻。

15.如权利要求1所述的方法，其中，在真空中进行等离子体处理。

16.如权利要求1所述的方法，其中，在大气压力下进行等离子体处理。

17.一种化合物半导体基光伏器件，所述器件包括：

基底；

等离子体处理的化合物半导体层，位于基底上。

18.如权利要求17所述的光伏器件，其中，等离子体包括氢等离子体。

19.如权利要求17所述的光伏器件，其中，等离子体包括氮等离子体。

20.如权利要求17所述的光伏器件，其中，等离子体包括氩等离子体。

21.如权利要求17所述的光伏器件，其中，等离子体包括氦等离子体。

22.如权利要求17所述的光伏器件，其中，等离子体包括氧等离子体。

23.如权利要求17所述的光伏器件，其中，化合物半导体是碲化镉。

24.如权利要求17所述的光伏器件，其中，化合物半导体是铜铟硫化物、铜铟镓二硒化物或铜铟镓二硒硫化物。

25.如权利要求17所述的光伏器件，其中，基底为玻璃。

26.如权利要求17所述的光伏器件，所述器件还包括在半导体层之上的背金属接触。

27.如权利要求17所述的光伏器件，所述器件还包括在基底之上的透明导电层。

28.如权利要求17所述的光伏器件，所述器件还包括在化合物半导体层之上的透明导电层。

29.如权利要求17所述的器件，所述器件还包括在化合物半导体层之上的第二化合物半导体层。

30.一种用于产生电能的系统，所述系统包括：

多层光伏器件，所述光伏器件包括基底和位于基底上的等离子体处理的化合物半导体层；

电连接，连接到光伏器件，用来采集由光伏器件产生的电能。

31.如权利要求30所述的系统，其中，等离子体包括氢等离子体。

32.如权利要求30所述的系统，其中，等离子体包括氮等离子体。

33.如权利要求30所述的系统，其中，等离子体包括氩等离子体。

34.如权利要求30所述的系统，其中，等离子体包括氦等离子体。