[发明专利]具有空腔界定栅极的装置及其制造方法

权利要求书

1.一种方法，其包含：

形成半导体鳍片；

形成与所述半导体鳍片邻近的牺牲材料；

用电介质材料覆盖所述牺牲材料；

通过从所述电介质材料下方移除所述牺牲材料而形成空腔；以及

在所述空腔中形成栅极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述牺牲材料包含：形成与所述半导体鳍片邻近的侧壁隔片。

3.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述侧壁隔片包含：形成碳侧壁隔片。

4.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述牺牲材料包含：

暴露模具的至少一部分；以及

将所述牺牲材料的至少一部分转换成流体。

5.根据权利要求4所述的方法，其中暴露所述牺牲材料的至少一部分包含：通过化学机械平坦化而移除安置于所述牺牲材料上的所述电介质材料中的一些而非全部。

6.根据权利要求4所述的方法，其中暴露所述牺牲材料的至少一部分包含：移除电介质材料，直到至少部分地暴露所述牺牲材料的横越所述半导体鳍片的部分为止。

7.根据权利要求4所述的方法，其中将所述牺牲材料的至少一部分转换成所述流体包含：燃烧所述模具的至少一实质部分。

8.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述空腔包含：

在所述半导体鳍片的任一侧上形成大体线性空隙；以及

形成在所述大体线性空隙之间延伸的沟槽区段。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在所述空腔中形成所述栅极包含：通过使反应物气体流入多个开口中进入所述空腔中而形成横越所述半导体鳍片的至少三个侧的栅极。

10.一种装置，其包含：

鳍片行，其包含多个鳍式场效晶体管；

中空栅极，其被安置成与所述鳍片行邻近。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述栅极包含多个沟槽区段，所述沟槽区段横越多个所述鳍式场效晶体管的远端部分。

12.根据权利要求10所述的装置，其中所述多个鳍式场效晶体管中的每一鳍式场效晶体管包含三个通道。

13.根据权利要求10所述的装置，其中所述多个鳍式场效晶体管中的每一鳍式场效晶体管包含大体U形远端部分。

14.根据权利要求10所述的装置，其中所述多个鳍式场效晶体管中的每一鳍式场效晶体管的鳍片宽度小于光刻分辨率极限。

15.一种方法，其包含：

将包含抛弃式模具材料的牺牲材料形成于衬底上，其中所述牺牲材料安置在鳍片附近，且其中所述抛弃式模具材料是经配置以响应于化学反应或热而作为流体离开所述衬底的材料。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述牺牲材料包含非晶碳、光致抗蚀剂或此两者。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述牺牲材料包含：第一侧壁隔片，所述第一侧壁隔片被安置成与所述鳍片的一侧相抵；以及第二侧壁隔片，所述第二侧壁隔片被安置成与所述鳍片的另一侧相抵。

18.根据权利要求15所述的方法，其中所述牺牲材料包含安置于从所述鳍片延伸的两个支柱之间的沟槽区段。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一侧壁隔片通过所述沟槽区段耦合到所述第二侧壁隔片。

20.根据权利要求15所述的方法，其包含：通过将所述牺牲材料转换成气体而界定与所述鳍片邻近的栅极。

21.一种装置，其包含：

多个三栅极晶体管，其各自包含一顶部栅极和两个侧栅极；

多个电介质部件，其各自安置于邻近三栅极晶体管的所述侧栅极之间，其中所述电介质部件延伸到比所述侧栅极深的凹部中。

22.根据权利要求21所述的装置，其中所述凹部为侧壁隔片过度蚀刻的凹部。

23.根据权利要求21所述的装置，其中所述凹部窄于光刻分辨率极限。

24.根据权利要求21所述的装置，其中所述顶部栅极或所述两个侧栅极中的至少一者形成于空腔内。

25.根据权利要求24所述的装置，其中所述顶部栅极和所述两个侧栅极中的每一者形成于空腔内。