[发明专利]真空处理装置

权利要求书

1.一种真空处理装置，其特征在于，所述真空处理装置包括：

形成等离子体的、形成了用于对矩形基板进行真空处理的处理空间的、形成了对基板进行支持的基板支持台的真空腔体；

设置于所述真空腔体的上侧的用于对所述处理空间进行气体供给的气体供给部；

用于与对所述处理空间进行压力调整及排气的排气系统相连接而设置于所述真空腔体上的排气口；

为通过所述气体供给部供给的气体形成等离子体而在所述真空腔体上设置的用于输入电源的电源输入部；

所述真空腔体至少一部分内表面上可拆卸地紧密连接有至少一部分表面上形成有包括W、Ni、W-N、Cr及Mo中任一的涂层的遮盖部件。

2.如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，所述真空处理装置包括：

为使所述基板支持台的侧面以及所述真空腔体的内表面之间的空间屏蔽，可拆卸的设置的表面上形成有包括W、Ni、W-N、Cr及Mo中任一的涂层的屏蔽部件。

3.一种真空处理装置，其特征在于，所述真空处理装置包括：

形成等离子体的、形成为了对矩形基板进行真空处理的处理空间的、形成了对基板进行支持的基板支持台的真空腔体；

设置于所述真空腔体的上侧的用于对所述处理空间进行气体供给的气体供给部；

用于与对所述处理空间进行压力调整及排气的排气系统相连接而设置于所述真空腔体上的排气口；

为通过所述气体供给部供给的气体形成等离子体而在所述真空腔体上设置的用于输入电源的电源输入部；

为了使所述基板支持台的侧面以及所述真空腔体的内表面之间的空间屏蔽，可拆卸的设置的表面上形成有包括W、Ni、W-N、Cr及Mo中任一的涂层的屏蔽部件。

4.如权利要求2或3所述的真空处理装置，其特征在于，所述屏蔽部件为对从其上部开始至下部的气体流动进行控制而形成有排气口或者设置有排气调整装置。

5.如权利要求1-3任一项所述的真空处理装置，其特征在于，所述真空处理装置为使用蚀刻气体对基板上形成的包括Al、Ti、Ta、Mo、Cu及Si中任一的薄膜进行蚀刻的蚀刻装置。

6.如权利要求5所述的真空处理装置，其特征在于，所述蚀刻气体包含Cl或F。

7.如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，所述真空处理装置为在所述基板的表面上形成薄膜的蒸发装置。

8.如权利要求1-3任一项所述的真空处理装置，其特征在于，所述涂层为通过非电解浸镀、热喷涂或者烧结的方式中的任意一种方法来形成。

9.如权利要求1-3任一项所述的真空处理装置，其特征在于，所述涂层的厚度为1μm以上500μm以下。

10.如权利要求1-3任一项所述的真空处理装置，其特征在于，所述涂层的厚度为10μm以上500μm以下。