[发明专利]真空处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及真空处理装置，具体涉及对用于LCD控制板的玻璃等基板进行所相关的蚀刻、蒸发等真空处理的真空处理装置。

背景技术

真空处理装置是在形成处理空间的真空腔内设置电极，且通过在真空状态下向电极输入电源来形成等离子体，从而对基板支持部上所设置的基板表面进行蒸发(Vacuum Evaporation)、蚀刻等真空处理工程的装置。

现有的基板表面上对包含铝(Al)、钛(Ti)、钽(Ta)、钼(Mo)、铜(Cu)以及硅(Si)的薄膜进行蚀刻的情况下，对真空处理装置的处理空间注入三氟化氯(ClF₃)、三氟甲烷(CHF₃)以及三氯化硼(BCl₃)等气体。

此时，真空处理装置的真空腔体一般情况下由铝(Aluminium-Al)或者其合金材质来制得，其内表面一般情况下进行阳极电镀处理，即形成了三氧化二铝(Al₂O₃)膜。

可是如上所述的向处理空间注入ClF₃、CHF₃以及BCl₃的情况下，真空腔体内表面上所形成的Al₂O₃膜和ClF₃、CHF₃及BCl₃相互之间发生化学反应而除掉Al₂O₃膜，从而使得对真空腔体的内表面施加损伤。

因此现有的真空处理装置为对包含了Al、Ti、Ta、Mo、Cu及Si的薄膜进行蚀刻并注入ClF₃、CHF₃以及BCl₃而会对真空腔体的内表面造成损伤并发生击穿情况，因而会使真空处理工程不稳定并需要对所损伤的部分进行维修或替换等维护及维修操作。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明的目的在于提供为了解决上述问题，而提供通过在真空腔体的内表面上可拆卸地设置遮盖部件且该遮盖部件的表面上进一步形成有与ClF₃、CHF₃以及BCl₃等气体不发生化学反应的材质的金属层，从而可防止由ClF₃、CHF₃以及BCl₃等气体所引起的遮盖部件表面损伤的真空处理装置以及在该装置上使用的遮盖部件。

本发明的另一目的在于，提供为使真空腔体内所设置的基板支持台及真空腔体的内表面之间的空间屏蔽，在基板支持台的侧表面以及真空腔体的内表面之间可拆卸地设置屏蔽部件，在其表面上进一步形成有与ClF₃、CHF₃以及BCl₃等气体不发生化学反应的材质的金属层，从而可防止由ClF₃、CHF₃以及BCl₃等气体所引起的屏蔽部件表面损伤的真空处理装置以及在该装置上使用的屏蔽部件。

(二)技术方案

为了达到如上所述的本发明的目的，本发明所提供的真空处理装置包括：

形成等离子体的、形成了用于在矩形基板上进行真空处理的处理空间的、形成了对基板进行支持的基板支持台的真空腔体；

设置于所述真空腔体的上侧的用于对所述处理空间进行气体供给的气体供给部；

用于与对所述处理空间进行压力调整及排气的排气系统相连接而设置于所述真空腔体上的排气口；

为通过所述气体供给部供给的气体形成等离子体而在所述真空腔体上设置的用于输入电源的电源输入部；

所述真空腔体至少一部分内表面上可拆卸地紧密连接有至少一部分表面上形成有包括W、Ni、W-N、Cr及Mo中任一的涂层的遮盖部件。

同时，本发明还提供一种真空处理装置，所述真空处理装置包括：

形成等离子体的、形成了用于在矩形基板上进行真空处理的处理空间的、形成了对基板进行支持的基板支持台的真空腔体；

设置于所述真空腔体的上侧的用于对所述处理空间进行气体供给的气体供给部；

用于与对所述处理空间进行压力调整及排气的排气系统相连接而设置于所述真空腔体上的排气口；

为通过所述气体供给部供给的气体形成等离子体而在所述真空腔体上设置的用于输入电源的电源输入部；