[发明专利]具有补强结构的管芯衬底有效
申请号: | 200980114217.2 | 申请日: | 2009-03-19 |
公开(公告)号: | CN102017131A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | R·托帕奇勒;A·兹布泽宗 | 申请(专利权)人: | ATI技术无限责任公司 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L23/16;H01L23/31 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 加拿大;CA |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 结构 管芯 衬底 | ||
1.一种制造方法,包括:
提供封装衬底,所述封装衬底具有第一侧与第二侧,所述第二侧与所述第一侧对立,所述第一侧具有用于接收半导体芯片的中心区域;以及
在所述中心区域外部的所述封装衬底的所述第一侧上,形成焊料补强结构,用于抵抗所述封装衬底的弯曲。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述封装衬底包括四个角,所述形成焊料补强结构包括形成接近所述四个角的每一角的焊料补强构件。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述形成焊料补强结构包括在所述封装衬底的所述第一侧上,形成具有多个开口的阻焊层,以及沉积焊料至所述多个开口中。
4.如权利要求3所述的方法,包括在所述阻焊层上放置印刷模板,通过所述印刷模板沉积所述焊料,以及移除所述印刷模板。
5.如权利要求1所述的方法,其中所述形成焊料补强结构包括形成焊料环。
6.如权利要求1所述的方法,包括将半导体芯片耦合至所述封装衬底的所述第一侧。
7.如权利要求6所述的方法,包括将所述封装衬底耦合至电子器件。
8.如权利要求1所述的方法,其中通过执行存储在计算机可读取介质中的指令,从而执行所述方法。
9.一种制造方法,包括:
提供封装衬底,所述封装衬底具有第一侧与第二侧,所述第二侧与所述第一侧对立,所述第一侧具有用于接收半导体芯片的中心区域;
在所述中心区域外部的所述第一侧上,形成焊料可湿润的表面;
在所述封装衬底的所述第一侧上,形成阻焊层,同时留下至少一部分的所述焊料可湿润的表面暴露出来;以及
在所述焊料可湿润的表面上沉积焊料,从而在所述封装衬底的所述第一侧上形成补强结构,用于抵抗所述封装衬底的弯曲。
10.如权利要求9所述的方法,其中所述封装衬底包括四个角,所述形成焊料可湿润的表面包括形成接近所述四个角中每一个角的焊料可湿润的表面。
11.如权利要求9所述的方法,包括在所述阻焊层上放置印刷模板,通过所述印刷模板沉积所述焊料,以及移除所述印刷模板。
12.如权利要求1所述的方法,其中在所述焊料可湿润的表面上沉积焊料包括沉积环形的焊料。
13.如权利要求9所述的方法,包括将半导体芯片耦合至所述封装衬底的所述第一侧。
14.如权利要求13所述的方法,包括将封装衬底耦合至电子器件。
15.一种设备,包括:
封装衬底,具有第一侧与第二侧,所述第二侧与所述第一侧对立,所述第一侧具有用于接收半导体芯片的中心区域;以及
焊料补强结构,位于所述中心区域外部的所述封装衬底的所述第一侧上,用于抵抗所述封装衬底的弯曲。
16.如权利要求15所述的设备,其中所述封装衬底包括四个角,所述焊料补强结构包括接近所述四个角中的每一个角的焊料补强构件。
17.如权利要求15所述的设备,其中所述焊料补强结构包括焊料环。
18.如权利要求15所述的设备,包括在所述封装衬底的所述第一侧上的焊料可湿润的表面,用于结合至所述焊料补强结构。
19.如权利要求15所述的设备,包括耦合至所述封装衬底的所述第一侧的半导体芯片。
20.如权利要求19所述的设备,包括耦合至所述封装衬底的电子器件。
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