[发明专利]多电压静电放电保护

权利要求书

1.一种包括有静电放电(ESD)箝位器的电子设备，所述箝位器连接在被包括于所述电子设备中的被保护的半导体设备或集成电路的第一和第二端子之间，所述电子设备包括：

具有源极、漏极、栅极和体的第一ESD晶体管，其中所述第一ESD晶体管的所述源极连接到所述第二端子并且所述第一ESD晶体管的所述漏极连接到所述第一端子；

连接在所述第一ESD晶体管的所述栅极和所述源极之间的第一电阻；

连接在所述第一ESD晶体管的所述体和所述源极之间的第二电阻；和

具有源极、漏极和栅极的第一和第二控制晶体管，其中所述第一控制晶体管的所述源极和所述漏极与所述第一电阻并联连接并且所述第一控制晶体管的所述栅极用来连接到第一偏置电压，并且所述第二控制晶体管的所述源极和所述漏极与所述第二电阻并联连接并且所述第二控制晶体管的所述栅极用来连接到第二偏置电压。

2.根据权利要求1的电子设备，进一步包括：

具有源极、漏极、栅极和体的第二ESD晶体管，其中所述第二ESD晶体管的所述源极和所述漏极串联连接在所述第一ESD晶体管的所述源极和所述第二端子之间；

连接在所述第二ESD晶体管的所述栅极和所述源极之间的第三电阻；

连接在所述第二ESD晶体管的所述体和所述源极之间的第四电阻；

具有源极、漏极和栅极的第三和第四控制晶体管，其中所述第三控制晶体管的所述源极和所述漏极与所述第三电阻并联连接并且所述第三控制晶体管的所述栅极用来连接到第三偏置电压，所述第四控制晶体管的所述源极和所述漏极与所述第四电阻并联连接并且所述第四控制晶体管的所述栅极用来连接到第四偏置电压。

3.根据权利要求2的电子设备，其中所述第二ESD晶体管的所述漏极连接到所述第一ESD晶体管的所述源极。

4.根据权利要求2的电子设备，其中所述第二ESD晶体管的所述源极连接到所述第一ESD晶体管的所述源极。

5.根据权利要求1的电子设备，其中所述第一和所述第二偏置电压由Vdd获得，其中Vdd是所述被保护的半导体设备或集成电路的主电源干线电压。

6.根据权利要求1的电子设备，进一步包括位于所述第一和第二偏置电压的电源与所述第一和第二控制晶体管的所述栅极之间的一个或多个低通滤波器。

7.根据权利要求6的电子设备，其中所述第一和第二偏置电压由公共电源获得，并且在所述公共电源与所述第一和第二控制晶体管的所述栅极之间提供单个低通滤波器。

8.根据权利要求6的电子设备，其中所述一个或多个低通滤波器基本上使频率低于大约800兆赫的信号通过，并且基本上衰减高于大约800兆赫的信号。

9.根据权利要求6的电子设备，其中所述一个或多个低通滤波器包括：

具有跨接所述滤波器的输入的第一和第二端子的第一电容；

具有跨接所述滤波器的输出的第一和第二端子的第二电容；

连接所述第一和第二电容的所述第一端子的另一个电阻。

10.根据权利要求6的电子设备，其中所述一个或多个低通滤波器每一个均具有输入端子和输出端子，并且所述滤波器包括：

具有第一和第二端子的电容，其中所述电容的所述第一或第二端子中的一个连接到所述滤波器的所述输入或输出端子中的一个；和

另一个电阻，所述另一个电阻将所述电容的所述第一或第二端子中的另一个连接到所述滤波器的所述输入或输出端子中的另一个。

11.根据权利要求1的电子设备，其中所述第一偏置电压低于所述第一控制晶体管的栅极击穿电压，所述第二偏置电压低于所述第二控制晶体管的栅极击穿电压。