[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200980118406.7 | 申请日： | 2009-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102037564A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 中野佑纪 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
具有第一导电型的第一半导体层；
设置在该第一半导体层上，并具有与所述第一导电型相反的第二导电型的第二半导体层；
贯通该第二半导体层，到达所述第一半导体层的沟道；
沿着所述沟道的内表面，形成于所述沟道的底部和侧部的绝缘层；
通过该绝缘层而与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘，并且至少一部分形成于所述沟道内部的栅极电极；和
在所述第二半导体层上，形成于所述沟道周围的具有所述第一导电型的半导体区域，其中
所述第二半导体层具有沿着所述沟道，并且与所述第一半导体层和所述半导体区域相接的隧道区域，
所述隧道区域在所述沟道深度方向上的大小为0.1～0.5μm，
所述隧道区域的峰值杂质浓度在4×1017cm-3～2×1018cm-3范围内。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述隧道区域包含杂质浓度为5×1017cm-3以上的高浓度部，
所述高浓度部为与所述沟道相接、且沿着与所述深度方向成直角的方向扩展的层状。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述半导体区域由碳化硅构成。
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