[发明专利]与原子层沉积反应器相连接的装置有效
申请号: | 200980120681.2 | 申请日: | 2009-06-09 |
公开(公告)号: | CN102057079A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | M·亚乌希艾宁;P·索伊尼宁 | 申请(专利权)人: | BENEQ有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C30B25/14 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王初 |
地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 芬兰;FI |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 原子 沉积 反应器 相连 装置 | ||
1.一种与原子层沉积反应器相连接的装置,所述原子层沉积反应器包括反应腔室,所述装置包括用来将反应气体供给到所述反应腔室(2)并且用来回吸所述反应气体的部件,以及用来供给阻隔气体的部件,其特征在于,
用来供给与回吸所述反应气体和用来供给所述阻隔气体的部件包括:中间元件(3),该中间元件具有延伸通过该中间元件的多个相平行的通道(4至7);以及第一回流元件和第二回流元件(8,9),所述第一回流元件和第二回流元件被布置在所述中间元件(3)的两端,所述通道(4至7)通到所述第一回流元件和第二回流元件中,所述第一回流元件和第二回流元件(8,9)被布置成将所述中间元件(3)中的各通道加以组合从而提供通道间的流动。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,面对着所述中间元件(3)的所述回流元件(8,9)的表面设有凹槽(15,24,17),这些凹槽与所述中间元件(3)的表面一起,形成将所述通道相连接的流动路径。
3.根据权利要求1或2所述的装置,其特征在于,回流元件(8,9)设有用来供给阻隔气体的连接部(13,19)。
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,背对着中间元件(3)的第二回流元件(9)的表面设有凹槽(20),所述凹槽与设置在第二回流元件(9)的顶部的封盖元件(21)一起,形成用于所述阻隔气体的流动路径。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述第二回流元件(9)设有第二钻孔(18),这些第二钻孔被布置为形成从在背对着所述中间元件的表面上的凹槽(20)流到在面对着所述中间元件的表面上的凹槽(17)的阻隔气体流的连接部。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,在所述第二钻孔(18)内设有用以提供流动阻滞的调节元件(22)或者缩小部分。
7.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,在延伸通过所述中间元件(3)的至少一个通道(5)内设有用以提供流动阻滞的调节元件(16)或者缩小部分。
8.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述中间元件(3)的中部设有收集通道(7),其它通道(4,5,6)辐射状地并且对称地围绕该收集通道,从而当沿径向方向观察时,每个通道被布置成与相邻的通道流通连接并且还与所述收集通道流通连接。
9.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述中间元件(3)用块状工件形成,所述通道(4至7)通过在所述块状工件上钻孔而形成。
10.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,由所述中间元件(3)以及所述第一回流元件和第二回流元件(8,9)形成的实体通过一个法兰结构(10)被固定到气体源,从而所述法兰结构的气体连接部(11,12)和第一回流元件的钻孔(13,14,19)形成从所述气体源经由所述中间元件(3)到所述反应腔室(2)的均匀流动路径。
11.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,通道(5)被布置成通过在所述第二回流元件(9)中形成的凹槽(25)而与共用的排放部件(23)流通连接。
12.根据权利要求10所述的装置,其特征在于,设有用于密封整个装置的共用密封构件(27),该共用密封构件被布置成与所述法兰结构(10)相连接。
13.根据权利要求10所述的装置,其特征在于,所述装置被结合到所述反应器的其它布置线路中。
14.根据权利要求10所述的装置,其特征在于,所述装置被布置成作为所述反应器的辅助加热设备的一部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于BENEQ有限公司,未经BENEQ有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980120681.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的