[发明专利]清洁装置

说明书

技术领域

本发明涉及清洁装置。特别是，本发明涉及在不拆卸混合蒸发器的情况下用于快速去除粘附到用于半导体加工装置(例如化学气相沉积CVD装置)的混合蒸发器内部的粘结材料的清洁装置。

背景技术

通常，在制造半导体部件的过程中，要重复进行以下步骤：例如用于注入和扩散掺质剂的步骤的结合步骤(unit process)、氧化步骤、用于化学气相沉积的步骤、照相平版印刷步骤以及清洁步骤。

例如，在用于化学气相沉积的步骤中，气体混合物被沉积在设置在腔室中的晶片的表面上，以形成薄膜。混合蒸发器用于在化学气相沉积步骤中在腔室中提供气体。混合蒸发器向反应空间供应混合的气体，该混合气体是作为用于形成薄膜材料的原料和作为载体的载气混合和蒸发而成的。

图1是示出了具有混合蒸发器100的普通的半导体加工装置的简图。参照图1，混合蒸发器100包括壳体140、原料和载气被混合以产生混合气体的混合空间130、控制混合气体的流量的隔膜120以及驱动所述隔膜120的压电阀110。

在用于形成薄膜的传统的化学气相沉积步骤中，因为每单位时间的原料的流量特别小，所以，隔膜120通过根据控制部(未示出)来使用压电阀110的运行，从而微小且纤细地控制流量。

储存在原料箱10中的原料被供应到混合空间130中，并且储存在载气箱11中的载气通过载气喷嘴150被喷射到混合空间130中。从混合蒸发器100排出的混合气体通过MFC(质量流量控制器)12被供应到腔室13。

通常，原料具有硅Si。例如，原料是TEOS(OC₂H₅₄，原硅酸四乙酯)。但是，在具有硅的原料被长时间使用的情况下，具有硅的粘附材料被粘结到混合蒸发器100的内壁上，由此阻止了原料、载气和混合气体的流动。最后，载气喷嘴150或者混合空间130的内部被粘结材料堵塞，并且混合蒸发器100不能执行原始功能。因此，混合蒸发器100的内部应该周期性地清洁。

在现有技术中，因为在混合蒸发器100和半导体加工装置之间的安装结构是复杂的，所以，从半导体加工装置上分离应该清洁的混合蒸发器100要费很长时间。此外，拆卸混合蒸发器100、清洁拆卸的部件、重新装配拆卸了的部件以及将混合蒸发器100重新装配到半导体加工装置上也要费时又费力。

同时，如果在拆卸和清洁之后重新装配混合蒸发器100不正确，那么用于控制微流量的隔膜120可能被不合适地操作。因此，当混合气体被沉积在晶片的表面上时，产生微粒并且生成的膜的特性不好。

发明内容

技术问题

为了解决上述问题，本发明提供了一种清洁装置，其允许混合蒸发器和半导体加工装置之间的安装和拆分能够容易地进行，并且，在没有拆卸混合蒸发器的情况下，混合蒸发器内部的粘结材料能够被完全清除。

技术方案

提供一种用于清洁混合蒸发器的清洁装置。该混合蒸发器包括原料流动通过的第一孔、载气流动通过的第二孔、通过混合原料和载气产生混合气体的混合空间、用于将载气供应到混合空间的被连接到第二孔的载气喷嘴以及排放混合气体的第三孔。该清洁装置通过使得清洁溶液循环通过第一孔、第二孔和第三孔中的至少一个来清洁混合蒸发器。

有益的效果

根据本发明的实施例，混合蒸发器能够被容易地安装到半导体加工装置上并且容易从其上分离，并且在不拆卸混合蒸发器的情况下，粘附到混合蒸发器内部的粘结材料能够被完全去除。因此，提高清洁的效率和半导体加工的产量。

附图说明

图1是示出了具有混合蒸发器的一般的半导体加工装置的简图。

图2是示出了根据本发明的实施例的清洁装置的简图。

图3是示出了根据本发明的另一个实施例的清洁装置的简图。

具体实施方式

作为一个实施例，本发明提供了包括清洁溶液箱、循环泵、第一管道、第二管道和第三管道的清洁装置。该清洁溶液箱存储用于混合蒸发器的清洁溶液。该混合蒸发器包括原料在其中流动通过的第一孔、载气在其中流动通过的第二孔、通过混合原料和载气产生混合气体的混合空间、连接到第二孔用于将载气供应到混合空间的载气喷嘴和排出混合气体的第三孔。循环泵使得清洁溶液在混合蒸发器中循环。第一管道连接第一孔和循环泵，用于将清洁溶液供应到混合空间。第二管道连接第二孔和第一管道，用于将清洁溶液供应到载气喷嘴。第三管道使得通过混合空间被排放到第三孔的清洁溶液返回进入清洁溶液箱。