[发明专利]用于具有缩小的位单元尺寸的自旋转移力矩磁阻式随机存取存储器的写入操作

权利要求书

1.一种自旋转移力矩磁阻式随机存取存储器(STT-MRAM)，其包含：

位单元阵列，其具有大体上平行于耦合到第一行位单元的字线的源极线，其中所述源极线大体上垂直于耦合到所述第一行位单元的位线。

2.根据权利要求1所述的STT-MRAM，其进一步包含：

耦合到第二行位单元的字线，其中所述源极线耦合到所述第二行位单元。

3.根据权利要求1所述的STT-MRAM，其中所述源极线安置于所述第一行位单元的所述字线与所述第二行位单元的所述字线之间。

4.根据权利要求1所述的STT-MRAM，其进一步包含：

经配置以在耦合到所述字线及所述源极线的所述第一行位单元中的所选位单元的位线上建立低电压且经配置以在耦合到所述字线及所述源极线的所述第一行位单元中的未选位单元的位线上建立高电压的逻辑。

5.根据权利要求4所述的STT-MRAM，其中所述高电压为供应电压电平且所述低电压为接地电平。

6.根据权利要求4所述的STT-MRAM，其中所述经配置以在所述所选单元的所述位线上建立低电压的逻辑包含：

位线选择逻辑，其耦合到多个位线驱动器。

7.根据权利要求6所述的STT-MRAM，其中所述位线选择逻辑经配置以接收多个列地址信号及一数据高信号。

8.根据权利要求7所述的STT-MRAM，其中所述多个位线驱动器中的每一者基于来自所述位线选择逻辑的选择信号而耦合到相关联的位线。

9.根据权利要求8所述的STT-MRAM，其中所述选择信号是从列选择地址信号及所述列选择信号的补码导出的。

10.根据权利要求9所述的STT-MRAM，其中所述列选择地址信号及其补码被提供到与非门，且所述与非门的输出被输入到相应位线驱动器。

11.根据权利要求2所述的STT-MRAM，其进一步包含：

经配置以驱动所述第一行位单元及所述第二行位单元的所述字线的逻辑，及经配置以选择所述源极线的逻辑。

12.根据权利要求11所述的STT-MRAM，其中所述用以驱动所述字线的逻辑及所述经配置以选择所述源极线的逻辑经组合。

13.根据权利要求12所述的STT-MRAM，其中所述经配置以驱动所述第一行位单元及所述第二行位单元的所述字线的逻辑耦合到行地址输入，且经配置以选择所述源极线的逻辑耦合到所述经配置以驱动所述字线的逻辑。

14.根据权利要求13所述的STT-MRAM，其中所述经配置以驱动所述第一行位单元及所述第二行位单元的所述字线的逻辑包含：

第一与非门，其耦合到两个行地址输入且具有耦合到用以驱动所述第一行位单元的所述字线的第一反相器的输出；以及

第二与非门，其耦合到两个行地址输入且具有耦合到用以驱动所述第二行位单元的所述字线的第二反相器的输出。

15.根据权利要求13所述的STT-MRAM，其中所述经配置以选择所述源极线的逻辑包含第三与非门，所述第三与非门具有耦合到所述第一与非门及所述第二与非门的所述输出的输入及用以产生源极线选择信号的输出。

16.一种方法，其包含：

形成自旋转移力矩磁阻式随机存取存储器(STT-MRAM)位单元阵列，其具有大体上平行于第一行位单元的字线且大体上垂直于耦合到所述第一行位单元的位线的源极线。

17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包含：

形成字线，其耦合到大体上与所述第一行位单元平行的第二行位单元；以及

将所述源极线耦合到所述第二行位单元。

18.根据权利要求16所述的方法，其进一步包含：

将所述源极线安置于所述第一行位单元与所述第二行位单元的所述字线之间。