[发明专利]放电加工装置、放电加工方法及半导体基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及放电加工装置、放电加工方法及半导体基板的制造方法，尤其涉及采用多个电极同时进行放电加工的放电加工装置。

背景技术

放电加工可在不影响硬度的情况下将金属加工为自由自在的形状，也用作从半导体锭块(ingot)切出大口径化的晶片的方法。在该放电加工中，为了防止放电集中于一处而使加工精度劣化，在移动放电点的同时进行脉冲状放电，因此加工速度慢。因而，如专利文献1所公开，提出了在使多个电线(wire)并联排列的状态下进行半导体锭块的切片加工，从而提高加工速度的方法。

但是，在该方法中，由一个电源驱动多个电线时，若任一电线产生放电，则在剩余的电线施加的电压降低，无法在剩余的电线产生放电。因而，必须对每个电线设置电源，导致放电加工装置的大型化及高价格化。

另外，为了实现可获得良质的加工面等的优良加工特性，专利文献2公开了，向电极施加交流高频，使平均加工电压为零，以防止破碎，并且针对每次半波放电使极性交替，使每次放电的放电点不同的方法。

另外，作为由一个电源在多个电线产生放电的方法，专利文献3公开了对多个放电间隙分别并联设置电容器，经由二极管对这些电容器充电的方法。

专利文献1：日本特开平9-248719号公报

专利文献2：日本特开昭61-260917号公报

专利文献3：日本特开2003-260617号公报

发明内容

但是，根据上述以往的技术，对多个放电间隙分别并联设置电容器，因此，在电极和工件之间的放电间隙施加直流电压，无法向电极施加交流高频。因此，在电极和工件之间的放电间隙中，无法高速产生脉冲状的放电，存在无法进行高速加工且加工面的品质劣化的问题。

本发明鉴于上述问题而提出，目的在于得到可由一个电源向多个电极高速产生脉冲状的放电的放电加工装置、放电加工方法及半导体基板的制造方法。

为了解决上述问题，达成目的，本发明的放电加工装置的特征在于，具备：N个电极，在与工件之间各自地产生放电，其中N是2以上的整数；交流电源或脉冲电源，在所述工件和所述N个电极之间共同施加交流电压或电压脉冲；以及N个电容器，一端分别各自地与所述电极连接，并且另一端共同连接到所述交流电源或脉冲电源。

根据本发明，具有可由一个电源向多个电极高速产生脉冲状的放电的效果。

附图说明

图1是表示本发明的放电加工装置的实施方式1的概略构成的平面图。

图2是表示本发明的放电加工装置的实施方式2的概略构成的平面图。

图3是表示本发明的放电加工装置的实施方式3的概略构成的平面图。

图4是表示本发明的放电加工装置的实施方式4的概略构成的平面图。

图5是表示本发明的放电加工装置的实施方式5的概略构成的平面图。

图6是表示本发明的放电加工装置的实施方式6的概略构成的平面图。

图7是表示本发明的放电加工装置的实施方式7的概略构成的平面图。

图8是表示本发明的放电加工装置的实施方式8的概略构成的平面图。

图9是表示本发明的放电加工装置的实施方式9的概略构成的平面图。

图10是表示本发明的放电加工装置的实施方式10的概略构成的平面图。

图11是表示本发明的放电加工装置的实施方式11的概略构成的平面图。

图12是表示本发明的放电加工装置的实施方式12的概略构成的平面图。

(附图标记说明)

W  工件

G  交流电源

PG 脉冲电源

E1～En电极

C1～Cn电容器

D1～Dn二极管

R0，R1～Rn，N1～Nn，RH1～RHn-1电阻器

SW开关元件

K电力回收电路

P控制电路

M0，M1～Mn，MH1～MHn-1电感器

Y电线

具体实施方式

以下，根据附图详细说明本发明的放电加工装置的实施方式。另外，本发明并不限定于该实施方式。

(实施方式1)

图1是本发明的放电加工装置的实施方式1的概略构成的平面图。图1中，在放电加工装置中设置了N(N是2以上的整数)个电极E1～En、1个交流电源G、N个电容器C1～Cn。这里，电极E1～En可在与工件W之间分别形成放电间隙，经由该放电间隙可在与工件W之间各自产生放电。