[发明专利]流化床反应器系统及减少硅沉积在反应器壁上的方法

权利要求书

1.一种用于在反应器中生产多晶硅产品的方法，该反应器包括反应室和分布器，所述分布器用于将气体均匀地分布到反应室中，所述反应室包括至少一个反应室壁，所述分布器包括提供气体源和反应室之间的流体连通的多个分布开口，所述多个分布开口包括至少一个周边开口和至少一个中心开口，所述方法包括：

将运载气体和可热分解的硅化合物从气体源经由分布器的分布开口进给并送到反应室中，其中，在经由周边开口进给的气体中的运载气体的浓度超过经由中心开口进给的气体中的运载气体的浓度，以便减少沉积在反应器壁上的硅的量；和

使硅粒子在反应室中与可热分解的硅化合物接触，以使硅沉积到硅粒子上并增加粒度。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，经由周边开口进给的气体主要包含运载气体。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，经由中心开口进给的气体主要包含可热分解的化合物。

4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，所述可热分解的化合物选自硅烷、三氯硅烷及其混合物。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述可热分解的化合物包括硅烷。

6.如权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，所述运载气体选自氢气、氩气、氦气及其混合物。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述运载气体包括氢气。

8.如权利要求1-7中任一项所述的方法，其特征在于，硅微粒的粒度增加到标称直径为大约800μm至大约2000μm之间。

9.一种用于将第一气体和第二气体分布到反应室中的分布器，所述反应室包括至少一个反应室壁，所述分布器包括多个分布开口，所述多个分布开口包括至少一个周边开口和至少一个中心开口，其中，所述周边开口构造成提供与第一气体源的流体连通而不与第二气体源流体连通。

10.如权利要求9所述的分布器，其特征在于，所述中心开口构造成提供与第二气体源的流体连通而不与第一气体源流体连通。

11.一种流化床反应器系统，包括反应室和根据权利要求9或权利要求10所述的分布器，所述分布器用于将气体分布到反应室中，所述反应室包括至少一个反应室壁。

12.一种流化床反应器系统，包括反应室和分布器，所述反应室包括至少一个反应室壁，所述分布器用于将气体分布到反应室中，并包括多个分布开口，所述多个分布开口提供第一气体源和第二气体源二者与反应室之间的流体连通，所述多个分布开口包括至少一个周边开口和至少一个中心开口，其中，所述周边开口与第一气体源流体连通而不与第二气体源流体连通。

13.如权利要求12所述的反应器系统，其特征在于，所述中心开口与第二气体源流体连通而不与第一气体源流体连通。

14.如权利要求12或13所述的反应器系统，其特征在于，所述第一气体源在第一气体压力室内，而第二气体源在第二气体压力室内。

15.如权利要求12-14中任一项所述的反应器系统，其特征在于，还包括入口组件、外部环形圈和内部环形圈，该内部环形圈与外部环形圈同心，其中，所述第一气体压力室由分布器、入口组件、外部环形圈和内部环形圈之间的空间限定。

16.如权利要求15所述的反应器系统，其特征在于，还包括产品排出管，该产品排出管与外部环形圈和内部环形圈同心，并延伸通过分布器和入口组件，其中，所述第二气体压力室由分布器、入口组件、内部环形圈和产品排出管之间的空间限定。

17.如权利要求16所述的反应器系统，其特征在于，所述入口组件包括第一气体通道和第二气体通道，所述第一气体通道与第一气体压力室流体连通，所述第二气体通道与第二气体压力室流体连通。