[发明专利]制造氧化镓基衬底的方法、发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

氧化镓基衬底；

所述氧化镓基衬底上的氮氧化镓基层；

所述氮氧化镓基层上的第一导电类型半导体层；

所述第一导电类型半导体层上的有源层；以及

所述有源层上的第二导电类型半导体层。

2.根据权利要求1所述的发光器件，包括：

所述氧化镓基衬底下面的第一电极层；以及

所述第二导电类型半导体层上的第二电极层。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述氮氧化镓基层包括第一导电类型杂质。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述氧化镓基衬底包含第一导电类型杂质。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一导电类型半导体层包括包含n型杂质的氮化镓基层，并且所述第二导电类型半导体层包括包含p型杂质的氮化镓基层。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述有源层包括氮化镓基层或者含铟的氮化镓基层。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述氧化镓基衬底的表面几乎不具有划痕。

8.一种用于制造氧化镓基衬底的方法，所述方法包括：

制备氧化镓基衬底；以及

在氧气氛围中对氧化镓基衬底执行热处理。

9.根据权利要求8所述的方法，包括在氧气氛围中对所述氧化镓基衬底执行热处理之后，对所述氧化镓基衬底执行氮化工艺。

10.根据权利要求8所述的方法，包括在氧气氛围中对所述氧化镓基衬底执行热处理之前，对所述氧化镓基衬底执行湿法清洁。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，在氧气氛围中对所述氧化镓基衬底执行热处理包括：

在所述氧化镓基衬底被放置的腔室中，引入氧气或者包含氧气的混合气体；以及

在大约900℃至1400℃的温度下执行热处理三分钟至三个小时。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，对所述氧化镓基衬底执行氮化工艺包括：将氨气、氨气和氧气的混合气体、或者氨气和氮气的混合气体注入到所述氧化镓基衬底被放置的腔室中。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，对所述氧化镓基衬底执行氮化工艺包括注入包含第一导电类型杂质的气体。

14.一种用于制造发光器件的方法，所述方法包括：

制备氧化镓基衬底；

在所述氧化镓基衬底上形成氮氧化镓基层；

在所述氮氧化镓基层上形成第一导电类型半导体层；

在所述第一导电类型半导体层上形成有源层；以及

在所述有源层上形成第二导电类型半导体层。

15.根据权利要求14所述的方法，包括：

在所述氧化镓基衬底下面形成第一电极层；以及

在所述第二导电类型半导体层上形成第二电极层。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，制备所述氧化镓基衬底包括在氧气氛围中对所述氧化镓基衬底执行热处理。

17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述氧化镓基衬底包含第一导电类型杂质。

18.根据权利要求14所述的方法，其中，所述氮氧化镓基层包含第一导电类型杂质。

19.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一导电类型半导体层包括包含n型杂质的氮化镓基层，并且所述第二导电类型半导体层包括包含p型杂质的氮化镓基层。

20.根据权利要求14所述的方法，其中，所述有源层包括氮化镓基层或者含铟的氮化镓基层。