[发明专利]制造光提取器的方法无效
申请号: | 200980132167.0 | 申请日: | 2009-06-03 |
公开(公告)号: | CN102124577A | 公开(公告)日: | 2011-07-13 |
发明(设计)人: | 张俊颖;迈克尔·A·哈斯;特里·L·史密斯 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 梁晓广;关兆辉 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 提取 方法 | ||
1.一种制造用于从基材中提取光的光学构造的方法,所述方法包括下述步骤:
(a)提供具有表面的基材;
(b)在所述基材的表面上设置多个结构体,所述多个结构体形成露出所述基材的表面的开口区域;
(c)使所述结构体中的至少一些结构体缩小;以及
(d)涂布外涂层,以覆盖缩小的结构体和所述开口区域内的所述基材的表面。
2.根据权利要求1所述的方法,其中步骤(c)通过对所述多个结构体施用蚀刻剂来执行。
3.根据权利要求1所述的方法,其中在施用所述蚀刻剂后,所述多个结构体对所述基材的覆盖百分比降低。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述多个结构体包含聚苯乙烯。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述多个结构体包含多个粒子。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述多个粒子在施用所述蚀刻剂前基本上为球形并且在施用所述蚀刻剂后基本上为锥状。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述基材具有折射率n1并且所述多个结构体具有折射率n2,并且其中n2小于n1。
8.根据权利要求1所述的方法,其中步骤(a)至(d)按顺序执行。
9.根据权利要求1所述的方法,还包括软熔所述结构体中的至少一些结构体的步骤。
10.根据权利要求9所述的方法,其中软熔所述结构体中的至少一些结构体的步骤通过将热量施加到所述多个结构体来执行。
11.根据权利要求9所述的方法,其中缩小和软熔所述粒子中的至少一些粒子的步骤同时执行。
12.根据权利要求1所述的方法,其中所述结构体中的至少一些结构体在步骤(c)中缩小至少20%。
13.根据权利要求1所述的方法,其中所述结构体中的至少一些在步骤(c)中缩小至少40%。
14.根据权利要求1所述的方法,其中步骤(d)中的所述外涂层包括结构化外涂层。
15.根据权利要求1所述的方法,其中步骤(d)中的所述外涂层具有与所述多个结构体的外表面一致的结构化外表面。
16.一种在基材表面上制造用于从所述基材中提取光的多个结构体的方法,所述方法包括下述步骤:
(a)提供具有表面的基材;
(b)确定所述基材的表面中的所需第一面积覆盖百分比;
(c)在所述基材的表面上设置多个结构体,产生大于所述所需第一面积覆盖百分比的第二面积覆盖百分比;以及
(d)使所述结构体中的至少一些结构体缩小,以将面积覆盖百分比降至所述所需第一面积覆盖百分比。
17.根据权利要求16所述的方法,还包括步骤:涂布结构化外涂层,以覆盖缩小的结构体以及未覆盖区域内的所述基材的表面。
18.根据权利要求16所述的方法,还包括步骤:软熔所述多个结构体中的至少一些结构体。
19.根据权利要求16所述的方法,其中所述多个结构体包含多个粒子。
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