[发明专利]有害化合物的无害化方法及有机半导体元素化合物的制造方法

权利要求书

1.一种有害化合物的无害化方法，其中，该方法包括：对含有钴作为中心金属并含有咕啉环作为配体的有机钴络合物、甲基供体、二氧化钛光催化剂和有害化合物进行光照射，从而使有害化合物甲基化，该有害化合物含有砷原子、锑原子或硒原子。

2.如权利要求1所述的无害化方法，其中，所述有机钴络合物为式(I)表示的维生素B₁₂类化合物，

式中，R¹表示CN、OH或CH₃，各Y相同或不同，表示NH₂、OH、ONa或OCH₃。

3.如权利要求1所述的无害化方法，其中，使所述有害化合物三甲基化。

4.如权利要求3所述的无害化方法，其中，包括：使所述三甲基化的有害化合物进一步与卤代乙酸反应。

5.如权利要求1所述的无害化方法，其中，所述有害化合物对小鼠的半数致死量LD₅₀为20mg/kg以下。

6.如权利要求1所述的无害化方法，其中，所述有害化合物含有M-O、M-S、M-X、M-CN或M-Ph表示的键，M表示砷原子、锑原子或硒原子，X表示卤素原子，Ph表示苯基。

7.如权利要求1所述的无害化方法，其中，所述有害化合物为选自由亚砷酸、五氧化二砷、三氯化砷、五氯化砷、硫化砷化合物、氰基砷化合物和氯砷化合物组成的组中的至少一种化合物。

8.如权利要求1所述的无害化方法，其中，所述甲基供体为卤代甲基、RSO₃CH₃表示的化合物、甲醇或三甲基卤化亚砜，R表示烷基或可以具有取代基的苯基。

9.如权利要求8所述的无害化方法，其中，所述甲基供体为RSO₃CH₃表示的化合物或三甲基卤化亚砜，R表示甲基或可以具有取代基的苯基。

10.一种有机半导体元素化合物的制造方法，其中，该方法包括：对含有钴作为中心金属并含有咕啉环作为配体的有机钴络合物、烷基供体、二氧化钛光催化剂和半导体元素化合物进行光照射，该半导体元素化合物含有砷原子、锑原子或硒原子。

11.如权利要求10所述的有机半导体元素化合物的制造方法，其中，所述烷基供体为甲基供体，

所述半导体元素化合物含有砷原子，

通过使所述半导体元素化合物三甲基化而得到三甲基砷。