[发明专利]在设置有层的半导体衬底上制造金属接触部的方法

权利要求书

1.一种用于在半导体器件如太阳能电池上制造至少一个尤其是带状的导电的金属接触部的方法，该半导体器件在表面侧在半导体衬底上具有层、如介电层、如钝化层，所述方法包括以下方法步骤：

-线状、带状和/或点状地施加液体到该层上，该液体至少包含金属构成的颗粒和玻璃料构成的颗粒，

-通过热处理将液体完全硬化，同时：

    --通过烧结金属颗粒来构建连贯的金属结构，

    --在金属结构和半导体衬底之间构建玻璃层，以及

    --在半导体衬底中构建金属区域，这些金属区域通过玻璃层与半导体衬底上的金属结构分离，

-通过刻蚀去除进行分离的玻璃层，并且由此同时去除金属结构，而并不去除生长到该半导体衬底中的金属区域，

-为了形成所述至少一个导电接触部，从溶液中无中间层地沉积导电材料到该半导体器件的生长至该半导体器件中的金属区域上，在其上已去除了玻璃层和金属结构层，同时将衬底中在这些区域中存在的金属区域导电连接。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述金属区域通过构建由金属和/或金属原子构成的晶粒来制造。

3.根据权利要求1的方法，其特征在于，作为液体使用附加地包含金属氧化物和/或将金属颗粒的表面涂层和/或氧化的液体。

4.根据权利要求1的方法，其特征在于，使用膏、墨水和/或气溶胶作为液体。

5.根据至少权利要求1的方法，其特征在于，将如下层施加到太阳能电池上作为层、尤其是介电层：其由SiN_x:H、SiO₂、TiO_x、Al₂O₃、SiNO_x、SiC的组中至少一种材料构成或者包含该材料。

6.根据上述权利要求至少之一的方法，其特征在于，所述液体如膏通过印刷方法如丝网印刷、胶印、移印和/或转印，通过分配方法、喷墨方法、气溶胶喷射方法、粉末涂层方法来施加到表面上。

7.根据上述权利要求至少之一的方法，其特征在于，所述液体带状、网状或者星形地被施加。

8.根据上述权利要求至少之一的方法，其特征在于，所述液体点状地、尤其是以布置成行的点的形式地被施加。

9.根据上述权利要求至少之一的方法，其特征在于，使用包含Pb、Cd、Zn、Bi、Sn、Sb、Al、P、B、Ti、Pd、Tl、Zr、Li、Ga、Ni或Si的组中至少一种氧化物的液体作为液体。

10.根据上述权利要求至少之一的方法，其特征在于，作为金属颗粒使用如下金属颗粒：其包含Ag、Ni、Cu、Pb、Ti、Sn、Al的组中至少一种金属或者其一种或者多种合金。

11.根据上述权利要求至少之一的方法，其特征在于，被干燥的液体通过刻蚀如湿化学或干化学刻蚀方法或者等离子刻蚀方法来去除。

12.根据上述权利要求至少之一的方法，其特征在于，通过电镀或者无电流的金属沉积方法来将该导电材料施加到所述半导体器件的表面上。

13.根据上述权利要求至少之一的方法，其特征在于，替代从溶液中沉积导电材料，通过焊接方法如超声焊接方法或者热焊接或者通过燃烧方法如火焰喷射来施加所述导电材料。

14.根据上述权利要求至少之一的方法，其特征在于，使用金属膏作为导电材料。

15.根据上述权利要求至少之一的方法，其特征在于，光诱导地影响导电材料的电镀沉积。

16.根据上述权利要求至少之一的方法，其特征在于，所述导电材料以宽度B来施加，其中B<100μm，尤其是B<60μm，优选B<40μm，特别优选B<20μm。

17.根据上述权利要求至少之一的方法，其特征在于，所述导电材料以如下施加高度来施加：H<15μm，尤其是H<10μm，优选H<5μm，特别优选H<1μm。

18.根据上述权利要求至少之一的方法，其特征在于，使用如下半导体衬底，该衬底在其要与导电材料接触的区域中具有掺杂材料浓度C，其中C<10²⁰原子/cm³，优选C<5×10¹⁹原子/cm³，尤其是C≈10¹⁹原子/cm³。