[发明专利]包含聚(羟基芳基羧酸乙烯酯)的辐射敏感组合物和元件

权利要求书

1.阳图制版可成像元件，其包含其上具有可成像层的衬底，该可成像层包含水不溶性聚合胶黏剂和辐射吸收化合物，

其中所述聚合胶黏剂包含占总重复单元至少20mol％的具有悬挂羟基芳基羧酸酯基团的重复单元。

2.如权利要求1所述的元件，其中所述聚合胶黏剂包含由如下结构(Ia)至(Ic)表示的重复单元：

其中基于总重复单元，该结构(Ia)的重复单元的量为0至约22mol％，该结构(Ib)的重复单元的量为约20至约85mol％，该结构(Ic)的重复单元的量为约5至约40mol％，R和R’独立地为氢或者取代或未取代的烷基基团、取代或未取代的环烷基基团或者卤素基团，R₁为取代或未取代的烷基基团、取代或未取代的环烷基基团或者非羟基芳基基团的取代或未取代的芳基基团，R₂为任选取代的羟基芳基基团。

3.如权利要求2所述的元件，其中R₂为未取代的羟基芳基基团。

4.如权利要求2所述的元件，其中R₂为被环状酰亚胺基团取代的羟基芳基基团。

5.如权利要求3所述的元件，其中所述聚合胶黏剂进一步包含数量为0至60mol％的结构(Ib’)表示的重复单元：

其中R₃为被环状酰亚胺基团取代的羟基芳基基团，且由结构(Ib)和(Ib’)表示的重复单元的量占至少20mol％。

6.如权利要求5所述的元件，其中基于总重复单元，该结构(Ia)表示的重复单元的量为2至12mol％，该结构(Ib)表示的重复单元的量为30至60mol％，该结构(Ib’)表示的重复单元的量为20至40mol％，该结构(Ic)表示的重复单元的量为10至35mol％，且由结构(Ib)和(Ib’)表示的重复单元的量的总和为60至90mol％。

7.如权利要求5所述的元件，其中R和R’独立地为氢或者甲基基团，R₁为具有1-12个碳原子的取代或未取代的烷基基团，R₂为羟苯基基团，而R₃为具有取代或未取代的苯邻二甲酰亚胺基团的羟苯基基团。

8.如权利要求1所述的元件，其中所述聚合胶黏剂的量为所述可成像层的总干重的40至95％(重量)，所述辐射吸收化合物为红外线辐射吸收化合物，其基于所处的层的总干重为0.1至30％(重量)。

9.如权利要求1所述的元件，进一步在所述可成像层中包含着色染料或者UV-或可见光敏感成分，或者包含两者。

10.如权利要求1所述的元件，其可用于提供印刷电路板，且在所述可成像层之下包含非导电亚层上方的导电材料。

11.如权利要求1所述的元件，进一步包含显影增强组合物。

12.如权利要求11所述的元件，其中所述聚合胶黏剂的量为40至95％，且所述红外线辐射吸收化合物的量为1至15％(重量)。

13.制造成像元件的方法，其包括：

A)成影像地曝光权利要求1所述的阳图制版可成像元件，以提供曝光和非曝光区域，和

B)对所述成影像地曝光后的元件显影，以主要仅去除所述曝光区域。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述可成像元件在700-1200nm的波长下成像，以提供具有含铝的亲水性衬底的平版印版。

15.如权利要求13所述的方法，其中所述聚合胶黏剂包含由如下结构(Ia)至(Ic)表示的重复单元：

其中基于总重复单元，该结构(Ia)的重复单元的量为0至22mol％，该结构(Ib)的重复单元的量为20至85mol％，该结构(Ic)的重复单元的量为5至40mol％，R和R’独立地为氢或者取代或未取代的烷基基团、取代或未取代的环烷基基团或者卤素基团，R₁为取代或未取代的烷基基团、取代或未取代的环烷基基团或者非羟基芳基基团的取代或未取代的芳基基团，R₂为任选取代的羟基芳基基团。