[发明专利]磁隧道结叠层

权利要求书

1.一种磁隧道结，包括：

第一电极；

与所述第一电极邻接的固定磁性元件；

自由磁性元件；

设置在所述固定磁性元件和所述自由磁性元件之间的隧道阻挡物；以及

铁的第一层，其具有在0.5至范围内的厚度，并且设置得与所述隧道阻挡物相邻。

2.如权利要求1所述的磁隧道结，其中所述铁的第一层包括在2.5至范围内的厚度。

3.如权利要求1所述的磁隧道结，其中所述铁的第一层包括约的厚度。

4.如权利要求1所述的磁隧道结，其中所述铁的第一层包括约的厚度。

5.如权利要求1所述的磁隧道结，进一步包括：

第二电极；以及

扩散阻挡物，设置在所述第二电极和所述自由磁性元件之间，具有在4至7Ωμ²的范围内的电阻-面积积。

6.如权利要求5所述的磁隧道结，其中所述扩散阻挡物包括MgON。

7.如权利要求5所述的磁隧道结，其中所述扩散阻挡物包括在和之间的厚度。

8.如权利要求5所述的磁隧道结，其中所述扩散阻挡物选自由氧化物、氮化物、和氧氮化物构成的组，其中所选择的氧化物、氮化物、和氧氮化物包括Al、Mg、Ru、Hf、Zr、Ti、Cu、Nb、Ta、B、或Mo中的至少一种。

9.如权利要求5所述的磁隧道结，其中所述隧道阻挡物包括MgO。

10.如权利要求5所述的磁隧道结，其中所述隧道阻挡物由MgO构成并且所述自由层由CoFeB构成，并且所述固定磁性元件包括：与所述第一电极邻接的由CoFe构成的被钉扎层，与所述隧道阻挡物邻接的由CoFeB构成的固定层，以及设置在所述固定层和所述被钉扎层之间的由Ru构成的间隔物层。

11.如权利要求5所述的磁隧道结，其中所述隧道阻挡物由MgO构成并且所述自由层由CoFeB构成，并且所述固定磁性元件包括：与所述第一电极邻接的由CoFe构成的被钉扎层，与所述隧道阻挡物邻接的由CoFeB构成的固定层，以及设置在所述固定层和所述被钉扎层之间的由Ru构成的间隔物层，其中所述铁的第一层被设置在所述隧道阻挡物和所述自由层之间。

12.如权利要求5所述的磁隧道结，其中所述隧道阻挡物由MgO构成并且所述固定层由CoFeB构成，并且所述固定磁性元件包括：与所述第一电极邻接的由CoFe构成的被钉扎层，与所述隧道阻挡物邻接的由CoFeB构成的固定层，以及设置在所述固定层和所述被钉扎层之间的由Ru构成的间隔物层，其中所述铁的第一层被设置在所述隧道阻挡物和所述固定层之间。

13.如权利要求11所述的磁隧道结，进一步包括铁的第二层，其被设置在所述隧道阻挡物和所述固定层之间，具有0.5至的厚度。

14.一种磁隧道结，包括：

固定磁性元件；

自由磁性元件；

隧道阻挡物，其设置在所述固定磁性元件和所述自由磁性元件之间；

铁的层，其被设置为与所述隧道阻挡物邻接，具有在0.5至的范围内的厚度；

电极；以及

扩散阻挡物，其设置在所述电极和所述自由磁性元件之间，具有在4至7Ωμ²的范围内的电阻-面积积。

15.一种形成磁隧道结的方法，包括：

形成固定磁性元件，其具有与第一电极邻接的第一界面；

形成隧道阻挡物，其具有与所述固定磁性元件的第二界面邻接的第一界面；

形成自由层，其具有与所述隧道阻挡物的第二界面邻接的第一界面；

形成铁的第一层，其具有在至的范围内的厚度，并被设置得与所述隧道阻挡物的第一界面和第二界面中的一个相邻；以及

在所述自由层的第二界面上形成第二电极。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述铁的第一层包括在2.5至的范围内的厚度。

17.如权利要求15所述的方法，其中所述铁的第一层包括约的厚度。

18.如权利要求15所述的方法，其中所述铁的第一层包括约的厚度。